[發明專利]一種液晶顯示器及其陣列基板

在審

• 申請號: 201410650057.6
• 申請日: 2014-11-14
• 公開（公告）號: CN104393004A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 呂啟標
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 朱繪;張文娟

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體地說，涉及一種液晶顯示器及其陣列基板。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)是目前的主流顯示裝置，其顯示區一般由上百萬個重復的像素單元組成，而一個像素單元一般由紅、綠、藍三個子像素單元組成。子像素單元的結構如圖1所示，主要由柵線1、數據線2、TFT、像素電極3、公共電極線4等組成，其中，TFT由下至上依次包括柵極5(與柵線1連接)、有源層6、源極7(與數據線2連接)和漏極8(通過導電孔9與像素電極3連接)。

具體的，該子像素單元可等效為圖2所示的等效電路圖。如圖2所示，該子像素單元的結構的主要組成電容包括存儲電容C_st、液晶電容C_lc和寄生電容C_gs等。其中，存儲電容C_st由像素電極3和位于陣列基板上的公共電極線4組成，液晶電容C_lc則由像素電極3和彩膜基板上的公共電極組成。

TFT-LCD工作的時候，柵線1為柵極5供電，柵極5施加電壓使得TFT導通，數據線2承載的數據信號經由源極7、有源層6和漏極8傳輸到像素電極3。通過往數據線2輸入不同的數據信號，從而控制液晶電容C_lc兩端的電壓。液晶電容C_lc兩端的電壓不同，陣列基板和彩膜基板之間的液晶的偏轉方向會不一樣，子像素的光導通率也會隨之而改變，最終實現控制每個子像素的顯示亮度。

另外，在像素設計中不可避免地引入一些寄生電容。其中，如圖2所示，TFT的漏極8和柵極5交疊導致形成寄生電容C_gs，該寄生電容C_gs對TFT-LCD的顯示質量影響較大。進一步的，圖3是圖2所示的等效電路中、柵線1電壓和像素電極3電壓等信號的輸出波形圖。由圖3中可以看出：在柵線1信號的下降沿，由于寄生電容C_gs的存在，像素電極3電壓會與輸入的數據信號之間電壓差ΔV，其大小可以由下式計算得到：

ΔV=ΔVg*CgsCgs+Cst+Clc]]>

其中，上式中的ΔV_g為柵線1信號的高電壓和低電壓之差。上述現象叫做Feed-through效應。

由于Feed-through效應的存在，在子像素設計的過程中，技術人員會借助一些先進的電子設計自動化(Electronic?Design?Automation，簡稱EDA)工具對子像素進行模擬設計，例如如圖3所示，設定子像素最佳公共電極電壓(Best?V_com)。但在陣列基板的制造過程中，通常需要幾道成膜工序，每道工序中都涉及到對位的問題。因此如果在制造過程中，位于上層的數據線2、源極7和漏極8等結構與位于下層的柵極5和柵線1等結構發生圖1中正負x方向的對位誤差，導致各層結構對位不精準，將使得該子像素原先設定好的各電容發生改變，子像素的性能也會發生改變。若是寄生電容C_gs發生了變化，原先設定的子像素最佳公共電壓將不再適用，將導致制成的TFT-LCD顯示畫面異常，加重殘影(Image?Stacking，簡稱IS)等不良現象。

發明內容

本發明提出一種液晶顯示器及其陣列基板，有效地解決了在制造陣列基板的過程中，由于漏極和柵極對位不準，使得子像素的寄生電容C_gs發生變化的問題。

本發明第一方面提供了一種陣列基板，包括多個陣列排布的子像素單元，每一子像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵極和連接像素電極的漏極；

其中，所述柵極形成有鏤空區域，所述鏤空區域對應漏極遠離所述像素電極的一端設置，且所述漏極的端部位于所述鏤空區域中。