[發明專利]一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法在審
| 申請號： | 201410649843.4 | 申請日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN104368815A | 公開（公告）日： | 2015-02-25 |
| 發明（設計）人： | 王小軍;王修春;張晶;伊希斌;魏軍 | 申請（專利權）人： | 山東省科學院新材料研究所 |
| 主分類號： | B22F3/105 | 分類號： | B22F3/105 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人： | 崔苗苗 |
| 地址： | 250014 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 選擇性 激光 熔化 制備 納米 球狀 si al 合金 方法 | ||
1.一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法，其特征是，包括步驟如下：
(1)利用計算機設計所需成型零部件的CAD三維模型，并將其轉換成可分切的數據格式STL文件，在三維模型的底部建立具有一定高度的支撐體，將三維模型連同支撐體分切成具有一定厚度的若干層，并對其進行工藝參數設定，將數據及參數導入SLM設備；
(2)在SLM設備中，將密封裝置抽真空后充入惰性氣體進行氣氛保護，將基板固定在可升降的工作臺上，送粉系統在基板上均勻鋪一層Al-Si合金粉末；
(3)根據導入參數激光選擇性地掃描相應切層，工藝參數為：激光器功率80～200W，激光停留時間20～120μs，激光掃描速度200～2000mm/s，激光掃描間距0.05～0.2mm；
(4)將基板下降一個層的厚度，在基板上鋪一層新的Al-Si合金粉末；
(5)重復步驟(3)和(4)直至各層完成；
(6)收集成型零部件以外的松散金屬粉末，處理后備用，將成型好的零部件從基板上取下。
2.根據權利要求1所述的一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法，其特征是，步驟(1)所述的每個分切層的厚度選20～100μm。
3.根據權利要求1所述的一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法，其特征是，步驟(1)所述的支撐體高度2～5mm。
4.根據權利要求1所述的一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法，其特征是，步驟(2)所述的Al-Si合金粉末呈球形或近球形，直徑在20～60μm之間。
5.根據權利要求4所述的一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法，其特征是，步驟(2)所述的Al-Si合金粉末采用惰性氣體霧化法制備。
6.根據權利要求1所述的一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法，其特征是，步驟(2)鋪粉厚度20～100μm。
7.根據權利要求1所述的一種選擇性激光熔化制備納米級球狀Si相Al-Si合金的方法，其特征是，鋪粉厚度與切層厚度一致。
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