[發(fā)明專利]微結(jié)構(gòu)釋放的方法及深硅刻蝕微結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410648558.0
• 申請(qǐng)日: 2014-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105590847B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉海鷹;蔣中偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/3065;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：采用刻蝕工藝在被加工工件的被加工面獲得微結(jié)構(gòu)；

步驟2：在所述微結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部沉積保護(hù)層；

步驟3：采用各向異性刻蝕工藝去除所述微結(jié)構(gòu)底部的所述保護(hù)層；

步驟4：采用各向異性刻蝕工藝刻蝕所述微結(jié)構(gòu)的底部至所需深度；

步驟5：采用SF₆或NF₃進(jìn)行各向同性干法刻蝕工藝刻蝕所述微結(jié)構(gòu)的下方以釋放所述微結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，所述步驟1包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟；所述刻蝕步驟采用SF₆作為工藝氣體，所述沉積步驟采用C₄F₈作為工藝氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，所述步驟2的保護(hù)層通過(guò)C_XF_Y類氣體獲得。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，所述步驟3采用CF_X、CH_XF_Y、Cl₂、HBr、SF₆中的一種或幾種作為刻蝕氣體進(jìn)行所述各向異性刻蝕工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，所述步驟3采用Ar、N₂、He或O₂氣體作為載氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，所述步驟4采用SF₆和O₂的混合氣體或NF₃和O₂的混合氣體作為刻蝕氣體進(jìn)行各向異性刻蝕工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，所述步驟4采用HBr或Cl₂作為輔助刻蝕氣體，和/或采用Ar、N₂、He或O₂氣體作為載氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法，其特征在于，所述被加工工件為硅片。

9.一種半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)，包括懸浮架構(gòu)和/或空腔，其特征在于，所述懸浮架構(gòu)和/或空腔通過(guò)權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的微結(jié)構(gòu)釋放的方法獲得。