[發(fā)明專利]非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410647788.5
• 申請日: 2014-11-13
• 公開（公告）號: CN105590647B
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金寧泰;謝明輝
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥

1.一種非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路，其特征在于，包括：

一第一開關(guān)，具有耦接一第一位線的一第一端且還具有一第二端；

一第二開關(guān)，具有耦接一第二位線的一第一端且還具有一第二端；

一控制電路，接收一寫入選擇信號或者一電源限制信號；

一栓鎖電路，耦接該第一開關(guān)的該第二端以及該第二開關(guān)的該第二端，耦接該控制電路，接收該寫入選擇信號，且具有一第一非易失存儲元件；

其中，當該非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路處于一寫入模式時，在該第一位線上的一第一數(shù)據(jù)寫入至該栓鎖電路，且該第一非易失存儲元件具有對應(yīng)該第一數(shù)據(jù)的一第一狀態(tài)；

其中，當該非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路處于一讀取模式時，一第一讀出數(shù)據(jù)根據(jù)該第一非易失存儲元件的該第一狀態(tài)而產(chǎn)生且提供至該第一位線；

其中，在該寫入模式下，該寫入選擇信號處于一第一電壓電平，以控制該栓鎖電路來改變該第一非易失存儲元件使其處于該第一狀態(tài)；以及

其中，在該讀取模式下，該寫入選擇信號處于一第二電壓電平，以控制該栓鎖電路來根據(jù)該第一狀態(tài)產(chǎn)生該第一讀出數(shù)據(jù)。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路，其特征在于，在該寫入及讀取模式下，該第一開關(guān)以及該第二開關(guān)導(dǎo)通。

3.如權(quán)利要求1所述的非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路，其特征在于，在該寫入模式與該讀取模式之間，沒有供應(yīng)電壓對該非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路供電，或者該非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路處于一待機模式。

4.如權(quán)利要求1所述的非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路，其特征在于，該栓鎖電路包括：

一第一第一型晶體管，具有耦接一第一節(jié)點的一控制端、一輸入端以及耦接一第二節(jié)點的一輸出端；

一第一第二型晶體管，具有耦接一第三節(jié)點的一控制端、耦接該第二節(jié)點的一輸入端、以及耦接一接地的一輸出端；

一第二第二型晶體管，具有接收該寫入選擇信號的一控制端、耦接該第一節(jié)點的一輸入端、以及耦接該第二節(jié)點的一輸出端；

一第二第一型晶體管，具有耦接一第四節(jié)點的一控制端、一輸入端、以及耦接該第三節(jié)點的一輸出端；

一第三第二型晶體管，具有耦接該第二節(jié)點的一控制端、耦接該第三節(jié)點的一輸入端、以及耦接該接地的一輸出端；以及

一第四第二型晶體管，具有接收該寫入選擇信號的一控制端、耦接一第四節(jié)點的一輸入端、以及耦接該第三節(jié)點的一輸出端；

其中，該第一非易失存儲元件耦接于該第二節(jié)點與該第四節(jié)點之間；以及

其中，該第一開關(guān)的該第二端耦接該第三節(jié)點，且該第二開關(guān)的該第二端耦接該第二節(jié)點。

5.如權(quán)利要求4所述的非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路，其特征在于，在該寫入模式下，該第二第二型晶體管以及該第四第二型晶體管導(dǎo)通。

6.如權(quán)利要求4所述的非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路，其特征在于，在該讀取模式下，該第二第二型晶體管以及該第四第二型晶體管關(guān)閉，且該第一第一型晶體管的該輸入端以及該第二第一型晶體管的該輸入端接收該非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路的一供應(yīng)電壓。

7.如權(quán)利要求4所述的非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路，其特征在于，該控制電路接收該寫入選擇信號且還包括：

一第三第一型晶體管，具有接收該寫入選擇信號的一控制端、耦接該非易失靜態(tài)隨機存取存儲器電路的一供應(yīng)電壓的一輸入端、以及耦接該第一第一型晶體管的該輸入端與該第二第一型晶體管的該輸入端的一輸出端；

其中，該第二第二型晶體管的該控制端以及該第四第二型晶體管的該控制端接收寫入選擇信號；

其中，在該寫入模式下，該寫入選擇信號處于該第一電壓電平以關(guān)閉該第三第一型晶體管，且導(dǎo)通該第二第二型晶體管以及該第四第二型晶體管；以及

其中，在該讀取模式下，該寫入選擇信號處于該第二電壓電平以導(dǎo)通該第三第一型晶體管，且關(guān)閉該第二第二型晶體管以及該第四第二型晶體管。