[發明專利]聲表面波器件抗300℃高溫剝離方法有效
| 申請號： | 201410647515.0 | 申請日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN104333341B | 公開（公告）日： | 2018-01-09 |
| 發明（設計）人： | 冷俊林;董加和;陳運祥;陳彥光;金中 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號： | H03H9/145 | 分類號： | H03H9/145;H03H9/25;H03H3/08 |
| 代理公司： | 重慶博凱知識產權代理有限公司50212 | 代理人： | 梁展湖,李海華 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面波 器件 300 高溫 剝離 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種聲表面波器件抗300℃高溫剝離方法，其特征在于：包括如下步驟：
1）在基片的器件面上制作聲表面波器件的金屬芯片；所述基片采用鉭酸鋰單晶或鈮酸鋰單晶壓電基片，該金屬芯片包括金屬叉指區和引線鍵合區；
2）在加溫到120℃、加壓到500PSI并抽真空的情況下，在基片的金屬面上貼上一層干膜，并切除基片邊緣的干膜；所述干膜采用HP3610型干膜；
3）在曝光機上使用掩膜版對金屬芯片的引線鍵合區進行套刻曝光，其曝光量為50-300mj/cm2；
4）在重量百分比為1%的NaCO3溶劑中對干膜進行顯影，顯影時間為100-300s；
5）在鍍膜機中對引線鍵合區表面有干膜的基片表面制作厚度為50-3000nm的SiO2溫度補償層，同時在300℃條件下進行原位退火2小時；
6）最后在NMP溶劑中，在溫度為90℃、壓強為1000PSI的環境下進行剝離，去除引線鍵合區的干膜以及該部分干膜表面上的SiO2溫度補償層。
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