[發(fā)明專(zhuān)利]具有堆疊式封裝能力的半導(dǎo)體封裝件及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410647116.4
• 申請(qǐng)日: 2014-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104882416A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林文強(qiáng);王家忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L23/34;H01L21/56
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 曹玲柱

1.一種具有堆疊式封裝能力的半導(dǎo)體封裝件制作方法，其特征在于，包含以下步驟：

提供一芯片；

提供一中介層，其包含一第一表面、與該第一表面相反的一第二表面、該第一表面上的多個(gè)第一接觸墊、該第二表面上的多個(gè)第二接觸墊、以及電性耦接該些第一接觸墊與該些第二接觸墊的多個(gè)貫孔；

通過(guò)多個(gè)凸塊電性耦接該芯片至該中介層的該些第二接觸墊，以形成一芯片-中介層堆疊次組件；

提供一含金屬載體，其具有一第一表面、相反的一第二表面、以及形成于該第一表面的一凹穴；

使用一黏著劑貼附該芯片-中介層堆疊次組件至該含金屬載體，并使該芯片插入該凹穴中，且該中介層側(cè)向延伸于該凹穴外；

在該芯片-中介層堆疊次組體貼附至該含金屬載體后，于該中介層的該第一表面上形成一第一增層電路，其中該第一增層電路通過(guò)該第一增層電路的多個(gè)第一導(dǎo)電盲孔電性耦接至該中介層的該些第一接觸墊；

移除該含金屬載體的選定部分，以形成一金屬散熱座，該金屬散熱座為罩蓋該凹穴內(nèi)的該芯片的該金屬載體的一第一剩余部分，并且具有對(duì)應(yīng)于該含金屬載體的該第一表面的一第一表面及相反的一第二表面；

形成一芯層，其側(cè)向覆蓋該金屬散熱座的側(cè)壁；

于該金屬散熱座的該第二表面上及該芯層上形成一第二增層電路；以及

形成延伸穿過(guò)該芯層的多個(gè)披覆穿孔，以提供該第一增層電路與該第二增層電路間的電性及熱性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該電性耦接該芯片至該中介層的該些第二接觸墊的步驟以面板規(guī)模進(jìn)行，并且在該貼附該芯片-中介層堆疊次組件至該含金屬載體的步驟前執(zhí)行一單片化步驟，以分離各個(gè)的芯片-中介層堆疊次組件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該含金屬載體包括位于該凹穴外的一定位件，并且該芯片-中介層堆疊次組件通過(guò)該定位件側(cè)向?qū)?zhǔn)與靠近該中介層的外圍邊緣，以貼附至該含金屬載體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該第二增層電路包含多個(gè)第二導(dǎo)電盲孔，以電性及熱性耦接至該金屬散熱座。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中移除該含金屬載體選定部分的該步驟也形成一金屬柱，其為該含金屬載體的一第二剩余部分，并與該第一剩余部分彼此保持距離。

6.一種具有堆疊式封裝能力的半導(dǎo)體封裝件制作方法，其特征在于，包含以下步驟：

提供一芯片；

提供一中介層，其包含一第一表面、與該第一表面相反的一第二表面、該第一表面上的多個(gè)第一接觸墊、該第二表面上的多個(gè)第二接觸墊、以及電性耦接該些第一接觸墊與該些第二接觸墊的多個(gè)貫孔；

通過(guò)多個(gè)凸塊電性耦接該芯片至該中介層的該些第二接觸墊，以形成一芯片-中介層堆疊次組件；

提供一含金屬載體，其具有一第一表面、相反的一第二表面、以及形成于該第一表面的一凹穴；

于該含金屬載體的該第一表面與該第二表面間形成延伸穿過(guò)該含金屬載體的多個(gè)貫穿開(kāi)口；

使用一黏著劑貼附該芯片-中介層堆疊次組件至該含金屬載體，并使該芯片插入該凹穴中，且該中介層側(cè)向延伸于該凹穴外；

在該芯片-中介層堆疊次組體貼附至該含金屬載體后，于該中介層的該第一表面上形成一第一增層電路，其中該第一增層電路通過(guò)該第一增層電路的多個(gè)第一導(dǎo)電盲孔電性耦接至該中介層的該些第一接觸墊；

于該含金屬載體的該第二表面上形成一第二增層電路；以及

形成延伸穿過(guò)該些貫穿開(kāi)口的多個(gè)披覆穿孔，以提供該第一增層電路與該第二增層電路間的電性及熱性連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該含金屬載體包括位于該凹穴外的一定位件，并且該芯片-中介層堆疊次組件通過(guò)該定位件側(cè)向?qū)?zhǔn)與靠近該中介層的外圍邊緣，以貼附至該含金屬載體。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該第二增層電路包含多個(gè)第二導(dǎo)電盲孔，以電性及熱性耦接至該含金屬載體。