[發(fā)明專利]輻射探測電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410645500.0 | 申請日： | 2014-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN104391315A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉夢新;劉鑫;趙發(fā)展;韓鄭生 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G01T1/02 | 分類號： | G01T1/02 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輻射 探測 電路 | ||
1.一種輻射探測電路，包括：
輻射敏感電流源單元，所述輻射敏感電流源單元包含至少一個輻射敏感PMOS管(201)，用于感測待測輻射，從而產(chǎn)生隨輻射量變化的參考電流(Iref)；
電流鏡單元，用于復(fù)制輻射敏感電流源單元產(chǎn)生的參考電流(Iref)；
電壓輸出單元，用于將電流鏡單元輸出的電流放大，并轉(zhuǎn)換為電壓輸出，從該電壓反映待測輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其中，所述輻射敏感電流源單元包括：
恒定電壓源(V1)，所述恒定電壓源(V1)的正、負(fù)兩極分別接電壓輸入端(VDD)和參考電流端(Iref)；
輻射敏感PMOS管(201)，所述輻射敏感PMOS管的源極和柵極分別接在恒定電壓源(V1)的正、負(fù)兩極，漏極與柵極短接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其中，所述電流鏡單元包括：
第一晶體管(M1)和第二晶體管(M2)，其中
所述第一晶體管(M1)的漏極和柵極短接，并與參考電流端(Iref)和第二晶體管(M2)的柵極相接，源極接地；
所述第二晶體管(M2)的柵極與第一晶體管(M1)的柵極相接，源極接地，漏極作為電流鏡單元的輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其中，所述電壓輸出單元包括：
第三晶體管(M3)、第四晶體管(M4)和輸出電阻(R)，其中
所述第三晶體管(M3)的漏極和柵極短接，并與所述第二晶體管(M2)的漏極和第四晶體管(M4)的柵極相接，源極接電壓輸入端(VDD)；
所述第四晶體管(M4)的源極接電壓輸入端(VDD)，漏極與輸出電阻(R)串聯(lián)；
所述輸出電阻(R)的不與第四晶體管(M4)的漏極連接的一端接地，與第四晶體管(M4)的漏極連接的一端作為輻射探測電路的輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輻射探測電路，其中：
所述第一晶體管(M1)和第二晶體管(M2)為NMOS管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輻射探測電路，其中：
所述第二晶體管(M2)的寬長比是第一晶體管(M1)的寬長比的十倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輻射探測電路，其中：
所述第三晶體管(M3)和第四晶體管(M4)為PMOS管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輻射探測電路，其中：
所述第四晶體管(M4)的寬長比是第三晶體管(M3)的寬長比的十倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其中，所述輻射敏感PMOS管工作在飽和區(qū)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院微電子研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院微電子研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410645500.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
