[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410645228.6
• 申請日: 2014-11-10
• 公開（公告）號: CN104638000B
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 西森理人;吉川俊英
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 朱勝,李春暉

1.一種半導體器件，包括：

形成在襯底上方的第一氮化物半導體層；

形成在所述第一氮化物半導體層上方的第二氮化物半導體層；

形成在所述第二氮化物半導體層和所述第一氮化物半導體層的一部分中的元件隔離區域；

形成在所述第二氮化物半導體層和所述元件隔離區域上方的柵電極、源電極以及漏電極；以及

以從所述漏電極的每個側表面的上部突出的方式形成在所述第二氮化物半導體層和所述元件隔離區域上方的漏極場板。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

形成在所述第二氮化物半導體層上方的所述漏電極與所述柵電極之間的絕緣層，

其中，所述漏極場板形成在所述絕緣層上。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述襯底由包含硅的材料形成。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，通過執行將包含元素Ar、H、He、N、F、Mg、Zn以及O中的任意一種的離子離子注入到所述第二氮化物半導體層和所述第一氮化物半導體層的一部分中來形成所述元件隔離區域。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，在形成在所述漏電極周圍的所述絕緣層中，形成在所述元件隔離區域上的所述絕緣層的膜厚度比形成在除了所述元件隔離區域之外的區域上的所述絕緣層的膜厚度薄。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述絕緣層由包含氮化硅或氧化硅的材料形成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述柵電極具有柵極指和連接所述柵極指的柵極指連接部，

所述柵極指形成在所述源電極與所述漏電極之間，并且

所述柵極指連接部形成在所述元件隔離區域上。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一氮化物半導體層由包含GaN的材料形成。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第二氮化物半導體層由包含AlGaN的材料形成。

10.一種半導體器件，包括：

形成在襯底上方的第一氮化物半導體層；

形成在所述第一氮化物半導體層上方的第二氮化物半導體層；

形成在所述第二氮化物半導體層和所述第一氮化物半導體層的一部分中的元件隔離區域；

形成在所述第二氮化物半導體層和所述元件隔離區域上方的絕緣層；

形成在所述絕緣層中并且以從所述絕緣層突出的方式形成的柵電極、源電極以及漏電極；以及

以從所述漏電極的每個側表面的上部突出的方式形成在所述絕緣層上方的漏極場板。

11.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

通過外延生長在襯底上使用氮化物半導體相繼形成第一氮化物半導體層和第二氮化物半導體層；

在所述第二氮化物半導體層和所述第一氮化物半導體層的一部分中形成元件隔離區域；

在所述第二氮化物半導體層和所述元件隔離區域上形成絕緣層；

在所述絕緣層中形成使所述第二氮化物半導體層的一部分露出的第一開口部；

在所述絕緣層中形成使所述第二氮化物半導體層的一部分露出的第二開口部；

在所述第一開口部中形成從所述第一開口部突出的源電極；

在所述第二開口部中形成從所述第二開口部突出的漏電極；以及

在所述絕緣層上方形成從所述漏電極的每個側表面的上部突出的漏極場板。

12.根據權利要求11所述的用于制造半導體器件的方法，其中，

形成所述漏電極包括：

在所述絕緣層上形成具有比形成在所述絕緣層中以形成所述漏電極的所述第二開口部大的開口部的抗蝕劑圖案，

在形成所述抗蝕劑圖案的表面上形成金屬膜，以及

通過剝離來移除形成在所述抗蝕劑圖案上的所述金屬膜。

13.根據權利要求11所述的用于制造半導體器件的方法，其中，

形成所述元件隔離區域包括：

執行將包含元素Ar、H、He、N、F、Mg、Zn以及O中的任意一種的離子離子注入到所述第二氮化物半導體層和所述第一氮化物半導體層的一部分中。