[發明專利]一種氣體傳感器芯片的制造方法在審
| 申請號： | 201410644773.3 | 申請日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN104391027A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發明（設計）人： | 禹勝林 | 申請（專利權）人： | 無錫信大氣象傳感網科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/407 | 分類號： | G01N27/407 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 張惠忠 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市無錫國家高新技*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氣體 傳感器 芯片 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氣體傳感器芯片的制造方法：其特征在于，包括以下步驟：
在第一層壓電基片上開設參比氣體通道；
在第二層壓電基片上涂覆氣體敏感膜；
首先在第四層壓電基片的表面上鍍上底電極，再鍍半導體材料薄層，再鍍上無序型金屬膜，然后再鍍上點電極；
將參比電極設置在第一層壓電基片和第二層壓電基片之間，將加熱電極設置在第二層壓電基片和第三層壓電基片之間；
將第一層壓電基片至第四層壓電基片順次疊壓在一起。
2.根據權利要求1所述的一種氣體傳感器芯片的制造方法，其特征在于，采用磁控濺射法在壓電基片上鍍底電極。
3.根據權利要求1所述的一種氣體傳感器芯片的制造方法，其特征在于，采用溶膠凝膠法或分子束外延或電化學沉積制備半導體膜材料薄層。
4.根據權利要求1所述的一種氣體傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述氣體敏感膜的厚度為120-200納米。
5.根據權利要求1所述的一種氣體傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述壓電基片的材質為氧化鋯。
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