[發(fā)明專利]一種太陽能級直拉單晶硅的生產(chǎn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410644510.2
• 申請日: 2014-11-14
• 公開（公告）號: CN104372406A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發(fā)明（設計）人: 劉彬國;何京輝;曹祥瑞;顏超;程志;黃瑞強;周子江;劉欽;范曉普
• 申請（專利權）人: 邢臺晶龍電子材料有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/22
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權事務所 13120
• 代理人: 李榮文

1.一種太陽能級直拉單晶硅的生產(chǎn)方法，其特征在于：包括如下步驟：

（1）加料：根據(jù)需要的半導體類型將硅原料和攙雜劑放入石英坩堝內(nèi)；

（2）熔化：將單晶爐關閉并抽真空，使得單晶爐內(nèi)的壓強維持在5Pa以下，然后將加熱功率一次性升至95～100千瓦；

（3）穩(wěn)溫：當硅原料熔化成液體后將加熱功率降至45千瓦并投入溫度自動程序，溫度自動程序使得爐內(nèi)溫度保持恒定并持續(xù)2小時；

（4）引晶：調(diào)整堝位使得硅液液面距導流筒的距離為15mm，將晶轉(zhuǎn)設為8圈每分鐘，堝轉(zhuǎn)設為2圈每分鐘，然后將籽晶降至硅液液面處進行引晶；引晶的總長度為130～150?mm，引晶時平均拉速控制在3～6?mm/min，初期拉速控制在1～3?mm/min，引晶達30?mm后將拉速控制在3～6?mm/min；

（5）放肩：引晶完成后，將拉速降至0.7?mm/min，加熱功率降低5千瓦，放肩時間3～4小時；

（6）轉(zhuǎn)肩：當硅棒直徑距等徑直徑還有5～10?mm時，將拉速提至2.0?mm/min，進行轉(zhuǎn)肩；

（7）等徑生長；當硅棒直徑達到等徑直徑時，將拉速降至等徑自動初始拉速，等徑自動初始拉速設為0.8?mm/min，設定堝升速度，然后投入等徑自動程序進行等徑生長；

（8）收尾：等徑生長完成后，退出等徑自動程序，停止堝升，將拉速提至1.0?mm/min，投入收尾自動程序，當長度達到直徑值時提斷停爐。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種太陽能級直拉單晶硅的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟（4）中引晶的總長度為150毫米。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種太陽能級直拉單晶硅的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟（4）中引晶的總長度為140毫米。