[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201410643149.1 | 申請日: | 2014-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN104393019B | 公開(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發明(設計)人: | 李旭遠 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括襯底基板和位于所述襯底基板之上的柵線和數據線,所述柵線和所述數據線限定像素單元,所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管包括柵極、有源層和源漏極;
所述襯底基板上還設置有輔助層,所述輔助層上設置有第一凹槽,所述柵極和所述柵線位于所述第一凹槽內,
所述柵極和所述柵線的頂部的寬度大于所述第一凹槽的頂部的寬度;
所述顯示基板還包括與所述柵極同層設置的柵極金屬,所述源漏極中的漏極通過第一過孔與所述柵極金屬電連接。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述輔助層的材料為樹脂或聚酰亞胺。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述柵極和所述柵線的厚度大于所述第一凹槽的深度。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述柵極和所述柵線的厚度為所述第一凹槽的深度的1.25倍。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述柵極和所述柵線的厚度范圍為400-1500nm,所述第一凹槽的深度范圍為320-1200nm。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述柵極和所述柵線的頂部的寬度比所述第一凹槽的頂部的寬度大0.5-3μm。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述柵極和所述柵線的頂部的寬度比所述第一凹槽的頂部的寬度大1-2μm。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至7任一所述的顯示基板。
9.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成輔助層,所述輔助層上設置有第一凹槽;
在所述第一凹槽內形成柵極和柵線,所述柵極和所述柵線的頂部的寬度大于所述第一凹槽的頂部的寬度;
在所述柵極的上方形成有源層;
在所述襯底基板的上方形成源漏極和數據線,所述源漏極位于所述有源層之上;
在所述襯底基板的上方形成像素電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





