[發明專利]單色OLED、制作方法及OLED 顯示面板有效
| 申請號： | 201410643039.5 | 申請日： | 2014-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN104319353A | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發明（設計）人： | 白娟娟;吳海東;金泰逵 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單色 oled 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種單色OLED，包括一發光層，其特征在于，所述發光層包括：
至少一個發光子層；以及
至少一個與所述發光子層相鄰的用于使得所述發光層內的不同極性的載流子的濃度比例位于預定區間內的載流子控制層。
2.根據權利要求1所述的單色OLED，其特征在于，所述濃度比例的預定區間為1.5:1～1:1.5。
3.根據權利要求1所述的單色OLED，其特征在于，所述載流子控制層的數量為1層或2層。
4.根據權利要求1所述的單色OLED，其特征在于，形成所述載流子控制層的第二材料和形成所述發光子層的第一材料具有相反的極性，以使得所述發光層內的不同極性的載流子的濃度比例位于預定區間內。
5.根據權利要求4所述的單色OLED，其特征在于，所述第一材料為偏空穴傳輸型材料時，所述第二材料為偏電子傳輸型材料，所述第一材料為偏電子傳輸型材料時，所述第二材料為偏空穴傳輸型材料。
6.根據權利要求4所述的單色OLED，其特征在于，所述載流子的濃度比例根據發光子層的層厚度、載流子控制層的層厚度以及發光子層與載流子控制層的間隔方式設置。
7.根據權利要求1所述的單色OLED，其特征在于，所述第一材料和第二材料的HOMO與LUMO滿足預定關系，以形成用于使得所述發光層內的不同極性的載流子的濃度比例位于預定區間內的載流子控制電場。
8.根據權利要求7所述的單色OLED，其特征在于，當發光材料為偏空穴傳輸型時，第一材料與第二材料的HOMO能級差>＝0.5eV，LUMO能級差<＝0.4Ev；當發光材料為偏電子傳輸型時，第一材料與第二材料的HOMO能級差<＝0.5eV，LUMO能級差>＝0.1eV。
9.根據權利要求1-8中任意一項所述的單色OLED，其特征在于，形成所述載流子控制層的第二材料的吸收光譜和形成所述發光子層的第一材料的發光光譜不重疊。
10.根據權利要求1-8中任意一項所述的單色OLED，其特征在于，所述單色OLED為藍色熒光OLED。
11.根據權利要求10所述的單色OLED，其特征在于，所述藍色熒光OLED使用的藍色熒光染料為蒽衍生物、苝衍生物、芘衍生物或芴衍生物。
12.根據權利要求10所述的單色OLED，其特征在于，所述藍色熒光OLED使用的藍色熒光染料為DSA-ph、BCzVBi、TBPe、DPVBI、N-BDAVBi或BDAVBi。
13.根據權利要求12所述的單色OLED，其特征在于，所述單色OLED具體包括：
ITO層；
NPB形成的空穴傳輸層；
DPVBi形成的至少一個發光子層；
DSA-Ph形成的至少一個載流子控制層；
BPhen(30nm)形成的電子傳輸層；
LiF(0.6nm)形成的電子注入層；以及
Al形成的陰極；
或者所述單色OLED具體包括：
ITO層；
NPB形成的空穴傳輸層；
DNCA形成的至少一個發光子層；
Alq3形成的載流子控制層；
BPhen形成的電子傳輸層；
LiF形成的電子注入層；以及
Al(120nm)形成的陰極；
或者所述單色OLED具體包括：
ITO層；
NPB形成的空穴傳輸層；
DPVBi形成的至少一個發光子層；
BAlq形成的至少一個載流子控制層；
BPhen形成的電子傳輸層；
LiF形成的電子注入層；以及
Al形成的陰極。
14.一種單色OLED的制作方法，包括形成發光層的步驟，其特征在于，所述形成發光層的步驟中具體包括：
形成至少一個發光子層；以及
形成至少一個與所述發光子層相鄰的用于使得所述發光層內的不同極性的載流子的濃度比例位于預定區間內的載流子控制層。
15.根據權利要求14所述的單色OLED的制作方法，其特征在于，所述濃度比例的預定區間為1.5:1～1:1.5。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
