[發明專利]一種適用于管殼內有凸出鍵合指的細間距共晶焊吸嘴在審
| 申請號: | 201410642813.0 | 申請日: | 2014-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN104377159A | 公開(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發明(設計)人: | 任春嶺;陳強;多新中 | 申請(專利權)人: | 江蘇博普電子科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 管殼 凸出 鍵合指 間距 共晶焊吸嘴 | ||
技術領域
本發明涉及一種適用于管殼內有凸出鍵合指的細間距共晶焊吸嘴,屬于通信雷達器件封裝技術領域。
背景技術
微波功率器件廣泛地用于通信系統和雷達系統中。微波器件的設計中有關引線的電感和電容直接影響到電路的性能,而控制電感的途徑之一就是引線的長短和高低,控制引線的的長短需要控制電路中零件的位置,當零件需要靠近管殼中的鍵合指時,普通的吸嘴就很難控制那么小的間隙。
發明內容
為解決現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種可以達到0.05mm甚至更小的間隙的適用于管殼內有凸出鍵合指的細間距共晶焊吸嘴。
為了實現上述目標,本發明采用如下的技術方案:
一種適用于管殼內有凸出鍵合指的細間距共晶焊吸嘴,包括吸嘴,所述吸嘴用于與管殼共晶焊接,其特征是,所述吸嘴底部的側邊上設置有缺口;所述管殼內部設置有凸起的鍵合指;所述缺口的寬度大于鍵合指的寬度。
前述的一種適用于管殼內有凸出鍵合指的細間距共晶焊吸嘴,其特征是,所述管殼內設置有微波待焊零件;所述鍵合指的高度大于微波待焊零件的厚度;所述缺口的深度等于從吸嘴底部的側邊到微波待焊零件邊緣的距離。
前述的一種適用于管殼內有凸出鍵合指的細間距共晶焊吸嘴,其特征是,所述缺口設置在一側或者是兩側。
本發明所達到的有益效果:吸嘴側面有缺口,缺口可以在兩邊或一邊,根據需要設計,具有選擇性,靈活多樣。吸嘴在夾取零件時,比較容易控制鍵合指凸起邊緣到零件邊緣的距離。本吸嘴結構設計簡單,在貼片機上使用方便,可以很好的解決貼片中管殼鍵合指凸起邊緣與零件邊緣的細間距共晶焊工藝。
附圖說明
圖1是吸嘴的結構示意圖;
圖2是吸嘴的截面結構示意圖;
圖3是吸嘴的底面結構示意圖;
圖4是管殼的俯視圖;
圖5是管殼的截面結構示意圖。
圖中附圖標記的含義:
1-微波管殼,2-微波待焊零件,3-鍵合指,4-吸嘴,5-吸嘴內孔,6-缺口。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。
本發明設計的一種適用于管殼內有凸出鍵合指3的細間距共晶焊吸嘴4。如圖1,吸嘴4底部的側邊上設置有缺口6,缺口6設置在其中一側或者是兩側,可以根據需要設計。
管殼內設置有微波待焊零件2和凸起的鍵合指3。
吸嘴4在夾取零件時,為了比較容易控制鍵合指3凸起邊緣到零件邊緣的距離,缺口6的寬度要大于鍵合指3的寬度,鍵合指3的高度大于微波待焊零件2的厚度,缺口6的深度D等于從吸嘴4底部的側邊到微波待焊零件2邊緣的距離(如圖3),那么在焊接過程中微波待焊零件2邊緣可以更加的靠近鍵合指3邊緣,貼片共晶焊能夠控制更小的間隙。滿足微波器件設計需要的細間距要求。
現有技術中,微波器件的設計中有關引線的電感和電容直接影響到電路的性能,而控制電感的途徑之一就是引線的長短和高低,控制引線的的長短需要控制電路中零件的位置,當零件需要靠近管殼中的鍵合指3時,普通的吸嘴4就很難控制那么小的間隙。在常用的吸嘴4上,采用本方案進行設計吸嘴4,可以達到0.05mm甚至更小的間隙,這樣為微波電路的設計帶來了很大的方便。其中缺口6的設計是為了能夠給管殼的鍵合指3留出足夠的空隙,包括高度上和深度上的距離,這樣能更好實現鍵合指3凸起邊緣到零件邊緣的細間距共晶焊。在常用的吸嘴4上,采用新方案進行設計吸嘴4,可以達到0.05mm甚至更小的間隙,這樣為微波電路的設計帶來了很大的方便。其中缺口6的設計是為了能夠給管殼的鍵合指3留出足夠的空隙,包括高度上和深度上的距離,這樣能更好實現鍵合指3凸起邊緣到零件邊緣的細間距共晶焊。
以上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和變形,這些改進和變形也應視為本發明的保護范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





