[發(fā)明專利]版圖驗(yàn)證測試向量的偽錯(cuò)自動(dòng)構(gòu)造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410642414.4
• 申請日: 2014-11-14
• 公開（公告）號: CN105653745A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王勇;張萍;侯勁松;李寧
• 申請（專利權(quán)）人: 天津藍(lán)海微科技有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路輔助設(shè)計(jì)軟件工具中版圖驗(yàn)證領(lǐng)域。

背景技術(shù)

每款集成電路芯片在批量制造前，都需要對版圖進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DesignRule Check)，只有通過設(shè)計(jì)規(guī)則的驗(yàn)證才能保證流片的成功，這一步叫做版圖驗(yàn)證(Layout Verification)。版圖驗(yàn)證工具，例如Calibre工具，會(huì)按一定的算法對版圖進(jìn)行幾何 約束檢查，具有通用性，其一個(gè)輸入是設(shè)計(jì)規(guī)則定義文件(DRCRuleFile)，它描述了 該工藝下具體的幾何約束。不同的集成電路制造工藝會(huì)有不同的設(shè)計(jì)規(guī)則定義文件，隨 著新工藝的不斷研制，工藝設(shè)計(jì)人員也需要開發(fā)相應(yīng)的設(shè)計(jì)規(guī)則文件。

設(shè)計(jì)規(guī)則文件類似于軟件編程語言，例如將一個(gè)圖形與另一個(gè)圖形進(jìn)行“或”運(yùn)算 再計(jì)算與其它圖形的間距。所以，其開發(fā)過程與開發(fā)一個(gè)軟件產(chǎn)品類似，都需要一個(gè)驗(yàn) 證測試過程，即，對于正確的版圖，設(shè)計(jì)規(guī)則檢查應(yīng)該通過；反之，對于錯(cuò)誤的版圖， 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查應(yīng)該報(bào)錯(cuò)。測試規(guī)則檢查應(yīng)該通過的用例叫正例，測試規(guī)則檢查不通過的 用例叫反例，正例和反例共同組成了版圖驗(yàn)證測試向量(TestPatternVector)。

這里的問題是，測試向量的數(shù)量很大，特別是要測試偽錯(cuò)(FalseError)的情況， 例如，對于寬金屬的間距檢查，如果金屬的寬度達(dá)不到寬金屬的標(biāo)準(zhǔn)，即使間距違反最 小間距，也是允許的。再例如，對于高壓區(qū)內(nèi)有源區(qū)間距的檢查，如果兩個(gè)有源區(qū)之一 不在高壓區(qū)內(nèi)，即不在指定的標(biāo)記層內(nèi)，即使違反間距值也不應(yīng)報(bào)錯(cuò)。上述兩種情況， 本應(yīng)是正例，但如果設(shè)計(jì)規(guī)則檢查報(bào)錯(cuò)了，說明設(shè)計(jì)規(guī)則文件編寫有問題。這也是偽錯(cuò) 測例的含義。針對一條設(shè)計(jì)規(guī)則，偽錯(cuò)條件可能不止一個(gè)，這種情況下，偽錯(cuò)測例會(huì)很 多，如果完全靠手工繪制版圖，這工作量巨大，并且在處理多個(gè)條件的組合時(shí)也很容易 出錯(cuò)。

本發(fā)明提出了一種版圖驗(yàn)證測試向量的偽錯(cuò)自動(dòng)構(gòu)造方法，通過定義偽錯(cuò)約束，使 用軟件自動(dòng)產(chǎn)生完整的測試向量。方法中只需要輸入一個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)正確的版圖，就可以 自動(dòng)構(gòu)造出各種偽錯(cuò)組合的測試用例，大大降低了人工成本。

本發(fā)明提出的自動(dòng)構(gòu)造方法，已經(jīng)通過軟件程序?qū)崿F(xiàn)，經(jīng)過實(shí)踐，可以將原來1個(gè) 人月的測試向量開發(fā)任務(wù)縮短到3人天，大大縮短了測試周期。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是自動(dòng)構(gòu)造版圖測試向量，特別是偽錯(cuò)測試向量。

以附圖1為例，要測試的物理約束規(guī)則是M1層和M2層的間距要大于等于0.8um， 同時(shí)要求M1層的寬度要大于等于1um，M2層的寬度要大于等于2um(寬金屬檢查規(guī)則)， 并且M1層和M2層要同時(shí)被AA層和DNW層所包含，但不能處于PW層和MIM層所在的區(qū) 域內(nèi)(非高壓區(qū))。據(jù)此，對應(yīng)的測試向量有：

1)正例：包含M1層，M2層，AA層和DNW層。DNW層包含AA層，M1層和M2層位 于AA層內(nèi)。M1的高度是1um，M2的高度是1.5um。M1和M2的間距是最小值0.8um。

2)反例：包含M1層，M2層，AA層和DNW層。DNW層包含AA層，M1層和M2層位 于AA層內(nèi)。M1的高度是1um，M2的高度是1.5um。M1和M2的間距是0.799um， 比最小值0.8um剛好小一個(gè)步長0.001。

3)偽錯(cuò)1(M1高度不滿足)：包含M1層，M2層，AA層和DNW層。DNW層包含AA 層，M1層和M2層位于AA層內(nèi)。M1的高度是0.999um，比最小值剛好小0.001um， M2的高度是1.5um。M1和M2的間距是0.799um，比最小值0.8um剛好小一個(gè)步 長0.001。

4)偽錯(cuò)2(M2高度不滿足)：包含M1層，M2層，AA層和DNW層。DNW層包含AA 層，M1層和M2層位于AA層內(nèi)。M1的高度是1um，M2的高度是1.499um，比 最小值剛好小0.001um。M1和M2的間距是0.799um，比最小值0.8um剛好小一 個(gè)步長0.001。

5)偽錯(cuò)3(不存在AA)：包含M1層，M2層，DNW層。M1層和M2層位于DNW層內(nèi)。 M1的高度是1um，M2的高度是1.5um。M1和M2的間距是最小值0.799um，比最 小值0.8um剛好小一個(gè)步長0.001。