[發明專利]通過等離子體增強的化學氣相沉積形成涂層的方法

有效

• 申請號: 201410641340.2
• 申請日: 2009-08-04
• 公開（公告）號: CN104498898B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: P·馬詩威茨
• 申請（專利權）人: 北美AGC平板玻璃公司;旭硝子株式會社;AGC玻璃歐洲公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 王永建

1.一種通過等離子體增強的化學氣相沉積(PECVD)形成涂層的方法，其包括：

a)提供等離子體，該等離子體是線性的，并且其被設定為在基本上沒有霍爾電流的情況下在其長度上基本上均勻；

b)貼近所述等離子體提供前驅氣體和反應氣體；

c)貼近所述等離子體提供基板，該基板具有至少一個待涂覆的表面；以及

d)激勵、部分分解或者完全分解所述前驅氣體；以及

e)利用PECVD將涂層沉積在所述基板的至少一個表面上；

其中激勵、部分分解或者完全分解所述前驅氣體形成附著到所述基板的至少一個表面的可冷凝的分子組織。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，以至少0.2μm/秒的沉積速率來沉積所述涂層。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，以至少0.3μm/秒的沉積速率來沉積所述涂層。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，以至少0.5μm/秒的沉積速率來沉積所述涂層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

提供貼近等離子體的至少一個磁場；

其中所述至少一個磁場被定位成使等離子體彎曲和/或增密。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，線性的等離子體至少0.5米長。

7.一種通過等離子體增強的化學氣相沉積(PECVD)形成涂層的方法，其包括：

a)提供等離子體，該等離子體是二維的，并且其被設定為在基本上沒有霍爾電流的情況下在兩個尺寸上基本上均勻；

b)貼近所述等離子體提供前驅氣體和反應氣體；

c)貼近所述等離子體提供基板，該基板具有至少一個待涂覆的表面；以及

d)激勵、部分分解或者完全分解所述前驅氣體；以及

e)利用PECVD將涂層沉積在所述基板的至少一個表面上；

其中激勵、部分分解或者完全分解所述前驅氣體形成附著到所述基板的至少一個表面的可冷凝的分子組織。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，以至少0.2μm/秒的沉積速率來沉積所述涂層。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，以至少0.3μm/秒的沉積速率來沉積所述涂層。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，以至少0.5μm/秒的沉積速率來沉積所述涂層。

11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，二維的等離子體至少0.5米長。

12.如權利要求7所述的方法，其特征在于，等離子體是線性的，且至少0.5米長。