[發明專利]電阻式隨機存取存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201410640719.1
• 申請日: 2014-11-13
• 公開（公告）號: CN105655485B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 徐懋騰
• 申請（專利權）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電阻式隨機存取存儲器，包括：

基底；

介電層，設置于該基底上；

至少一存儲單元串，包括：

多個存儲單元，該些存儲單元垂直相鄰地設置于該介電層中，其中該些存儲單元包括多個第一介層窗、多條導線與多個可變電阻結構，且各該存儲單元包括：

第一介層窗；

二導線，分別設置于該第一介層窗的兩側；以及

二可變電阻結構，分別設置于該第一介層窗與該些導線之間，其中

在垂直相鄰的兩個存儲單元中，位于上方的該存儲單元的該些可變電阻結構與位于下方的該存儲單元的該些可變電阻結構彼此隔離；以及

多個第二介層窗，分別設置于該些第一介層窗下方的該介電層中并連接于該些第一介層窗，且垂直相鄰的兩個第一介層窗通過該第二介層窗進行連接。

2.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第一介層窗的寬度大于該些第二介層窗的寬度。

3.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中各該導線的底面高于位于其下方的各該第二介層窗的頂面。

4.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中各該可變電阻結構包括一可變電阻層。

5.如權利要求4所述的電阻式隨機存取存儲器，其中各該可變電阻結構還包括一絕緣層，設置于該可變電阻層與各該第一介層窗之間或該可變電阻層與各該導線之間。

6.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中當該至少一存儲單元串為多串時，水平相鄰的兩個存儲單元共用位于其間的該導線。

7.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些導線的形狀包括條狀或指狀。

8.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，還包括至少一晶體管，設置于該基底上，且該至少一晶體管的一端子通過該些第二介層窗電連接于該些第一介層窗。

9.如權利要求8所述的電阻式隨機存取存儲器，其中當該至少一晶體管為多個時，還包括至少一隔離結構，設置于該基底中，且該些晶體管通過該至少一隔離結構而彼此隔離。

10.一種電阻式隨機存取存儲器的制造方法，包括：

在一基底上形成一介電層；

在該介電層中形成至少一存儲單元串，該至少一存儲單元串包括：

多個存儲單元，該些存儲單元垂直相鄰地設置于該介電層中，其中該些存儲單元包括多個第一介層窗、多條導線與多個可變電阻結構，且各該存儲單元包括：

一第一介層窗；

二導線，分別設置于該第一介層窗的兩側；以及

二可變電阻結構，分別設置于該第一介層窗與該些導線之間，其中

在垂直相鄰的兩個存儲單元中，位于上方的該存儲單元的該些可變電阻結構與位于下方的該存儲單元的該些可變電阻結構彼此隔離；以及

多個第二介層窗，分別設置于該些第一介層窗下方的該介電層中并連接于該些第一介層窗，且垂直相鄰的兩個第一介層窗通過該第二介層窗進行連接。

11.如權利要求10所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其中該介電層的形成方法包括化學氣相沉積法。

12.如權利要求10所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其中該些第一介層窗的形成方法包括組合使用光刻制作工藝、蝕刻制作工藝與沉積制作工藝而形成或通過金屬鑲嵌法而形成。

13.如權利要求10所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其中該些第一介層窗的寬度大于該些第二介層窗的寬度。