[發明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410640544.4
• 申請日: 2014-11-13
• 公開（公告）號: CN104317126A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 劉莎
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及到顯示裝置的技術領域，尤其涉及到一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

目前隨著液晶顯示行業中技術的不斷發展，高頻率，大尺寸，高分辨率成為液晶顯示器的主流發展方向。然而，隨著分辨率的不斷提升，像素尺寸不斷減小，同時由于Panel尺寸增加，為了防止信號線的Load太大，信號線的線寬增加，導致像素的開口率降低，背光源的利用率降低，功耗增加。如：為了提高顯示裝置的高分辨率，像素單元的尺寸不斷的減低，從而造成陣列基板上形成的薄膜晶體管的個數增加，同時，薄膜晶體管連接的走線也增加，增多的薄膜晶體管及走線極大的占用了基板上的面積，嚴重的影響了顯示面板那的開口率。

發明內容

本發明提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，用以提高顯示面板的開口率，進而提高顯示裝置的顯示效果。

本發明提供了一種陣列基板，該陣列基板包括：襯底；

層疊設置在所述襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管為頂柵結構，所述第二薄膜晶體管為底柵結構，且所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管共用一個柵極；

與所述第一薄膜晶體管中的第一源極及第一漏極同層設置的第一像素電極和第一公共電極；

與所述第二薄膜晶體管中的第二源極及第二漏極同層設置的第二像素電極和第二公共電極；其中，

所述第一像素電極與所述第一源極或第一漏極連接，所述第二像素電極與第二源極或第二漏極連接。

在上述方案中，通過采用將與相鄰的兩個像素單元連接的TFT層疊設置，從而減少了TFT結構占用的面積，具體的，該層疊設置的TFT結構，一個采用頂柵結構，一個采用底柵結構，并且為了減少走線占用的面積，兩個TFT共用一個柵極，從而最大限度的降低了走線以及TFT占用的面積，提高了顯示面板的開口率，進而提高了顯示裝置的顯示效果，同時，開口率的增加還提高了對背光源的利用率，減少了能耗。

優選的，還包括設置于所述第一源極和第一漏極上的第一絕緣層，所述柵極設置于所述第一絕緣層上。使得第一源極和第二漏極與柵極絕緣，同時，方便柵極的設置。

優選的，還包括設置于所述柵極上的第二絕緣層所述第二源極和第二漏極設置于所述第二絕緣層上。使得第二源極和第二漏極與柵極絕緣，同時，方便了第二源極和第二漏極的設置。

優選的，所述第一源極與所述第一像素電極連接；所述第二漏極與所述第二像素電極連接；或，

所述第一漏極與所述第一像素電極連接；所述第二源極與所述第二像素電極連接。使得相鄰的像素電極在不更換信號時能夠實現電場的翻轉，減少數據線上的信號更換頻率。

本發明還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述任一種所述的陣列基板及與所述陣列基板對盒的彩膜基板。

在上述技術方案中，顯示面板采用上述的陣列基板，該陣列基板采用將與相鄰的兩個像素單元連接的TFT層疊設置，從而減少了TFT結構占用的面積，具體的，該層疊設置的TFT結構，一個采用頂柵結構，一個采用底柵結構，并且為了減少走線占用的面積，兩個TFT共用一個柵極，從而最大限度的降低了走線以及TFT占用的面積，提高了顯示面板的開口率，進而提高了顯示裝置的顯示效果。

本發明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。

在上述方案中，顯示裝置采用上述提供的顯示面板，由于該顯示面板中的陣列基板采用將與相鄰的兩個像素單元連接的TFT層疊設置的結構，從而減少了TFT結構占用的面積，具體的，該層疊設置的TFT結構，一個采用頂柵結構，一個采用底柵結構，并且為了減少走線占用的面積，兩個TFT共用一個柵極，從而最大限度的降低了走線以及TFT占用的面積，提高了顯示面板的開口率，進而提高了顯示裝置的顯示效果。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的陣列基板的結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的顯示面板在顯示時加載電場的示意圖。

附圖標記：

10-襯底???????????11-第一源極???????????12-第一漏極

13-第一公共電極???14-第一像素電極???????15-第一絕緣層；

20-柵極???????????21-第二絕緣層?????????30-第二源極

31-第二漏極???????32-第二公共電極???????33-第二像素電極

具體實施方式