[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410638738.0
• 申請(qǐng)日: 2014-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN104637526B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 飯島正章
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C11/407
• 分類號(hào): G11C11/407
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。過去存在不能夠防止產(chǎn)生在信號(hào)DQS和DQSB之間的差的高阻抗?fàn)顟B(tài)的問題。通過本發(fā)明，第一比較器電路在將輸入端子耦合到端子電位之后并且從兩個(gè)信號(hào)的前導(dǎo)的開始時(shí)刻之前起輸出表示DQS和DQSB之間的差的信號(hào)DQSIN。第二比較器電路將DQS或者DQSB的電平與基準(zhǔn)電壓Vref進(jìn)行比較并且輸出表示比較結(jié)果的信號(hào)ODT_DET。門電路在掩蔽狀態(tài)下通過信號(hào)EW掩蔽信號(hào)DQSIN。控制電路基于ODT_DET識(shí)別前導(dǎo)的開始時(shí)刻，并且在前導(dǎo)的開始之前將信號(hào)EW設(shè)置為掩蔽狀態(tài)并且從前導(dǎo)的開始時(shí)刻起將信號(hào)EW設(shè)置為去掩蔽狀態(tài)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

通過引用將包括說明書、附圖以及摘要的于2013年11月7日提交的日本專利申請(qǐng)No.2013-231020的全部內(nèi)容整體合并在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。更加具體地，本發(fā)明涉及一種包括數(shù)據(jù)選通信號(hào)接收電路的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)中，已經(jīng)有已知技術(shù)，該已知技術(shù)從DRAM讀出之后，防止帶來從DRAM輸出的數(shù)據(jù)選通信號(hào)的高阻抗(中間電平)狀態(tài)。

例如，日本未經(jīng)審查的專利公開No.2008-103013描述其中存儲(chǔ)器讀取控制電路輸入與來自于存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)的讀取有關(guān)的讀取請(qǐng)求信號(hào)和與讀取請(qǐng)求有關(guān)的突發(fā)長度信息信號(hào)的數(shù)據(jù)選通接收機(jī)。當(dāng)讀取請(qǐng)求信號(hào)變成有效的時(shí)，存儲(chǔ)器讀取控制電路控制上拉電路以上拉數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS。在檢測數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS從高電平到低電平的轉(zhuǎn)變之后，存儲(chǔ)器讀取控制電路將掩蔽信號(hào)設(shè)置為去掩蔽狀態(tài)。在基于突發(fā)長度信息信號(hào)確定數(shù)據(jù)選通信號(hào)已經(jīng)重復(fù)預(yù)定的轉(zhuǎn)變之后存儲(chǔ)器讀取控制電路將掩蔽信號(hào)設(shè)置為掩蔽狀態(tài)。繼重復(fù)的轉(zhuǎn)變之后，數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS的后導(dǎo)被啟動(dòng)。在后導(dǎo)時(shí)段的結(jié)束，存儲(chǔ)器讀取控制電路將數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS上拉到高電平。

發(fā)明內(nèi)容

然而，在上面引用的專利公開中描述的數(shù)據(jù)選通接收器僅接收單數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS并且被設(shè)計(jì)成防止帶來僅一個(gè)數(shù)據(jù)選通信號(hào)的高阻抗?fàn)顟B(tài)。

同時(shí)，存在接收補(bǔ)充數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS和DQSB的數(shù)據(jù)選通接收器。通過檢測在接收到的信號(hào)DQS和DQSB之間的差，這種類型的數(shù)據(jù)選通接收器能夠減少被疊加在信號(hào)DQS和DQSB上的噪聲。問題是，在上面引用的專利公開中描述的方法不能夠被應(yīng)用于接收補(bǔ)充數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS和DQSB的此數(shù)據(jù)選通接收器。這是因?yàn)榻邮昭a(bǔ)充數(shù)據(jù)選通信號(hào)的數(shù)據(jù)選通接收器將其間的差上拉到高阻抗?fàn)顟B(tài)，然而上述專利公開的方法不能夠防止帶來這樣產(chǎn)生的高阻抗?fàn)顟B(tài)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種數(shù)據(jù)選通接收電路，其包括第一和第二比較器電路。第一比較器電路在將輸入端子耦合到端子電位之后并且從前導(dǎo)的開始之前起輸出數(shù)據(jù)選通信號(hào)和反相數(shù)據(jù)選通信號(hào)之間的差。第二比較器電路將數(shù)據(jù)選通信號(hào)或者反相數(shù)據(jù)選通信號(hào)的電平與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較并且將表示比較結(jié)果的信號(hào)輸出到控制電路。數(shù)據(jù)選通接收電路進(jìn)一步包括門電路和控制電路。門電路使用掩蔽信號(hào)掩蔽第一比較器電路的輸出信號(hào)。控制電路基于從第二比較器電路輸出的信號(hào)識(shí)別前導(dǎo)的開始時(shí)刻，在前導(dǎo)的開始之前將掩蔽信號(hào)設(shè)置為掩蔽狀態(tài)，并且從前導(dǎo)的開始時(shí)刻起將掩蔽信號(hào)設(shè)置為去掩蔽狀態(tài)。

因此根據(jù)在上面概述的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，能夠防止帶來在信號(hào)DQS和DQSB之間的差的高阻抗?fàn)顟B(tài)。

附圖說明

在閱讀下面的描述和附圖之后本發(fā)明的更進(jìn)一步的目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得顯而易見，其中：

圖1是示出作為本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的圖；

圖2是第一實(shí)施例中的當(dāng)從DDR-SDRAM中讀取數(shù)據(jù)時(shí)生效的時(shí)序圖；

圖3是示出作為本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的圖；

圖4是示出第二實(shí)施例中的DDR-PHY的結(jié)構(gòu)的圖；