[發(fā)明專利]具有貫通電極的半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410638228.3 | 申請日： | 2014-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN104637901B | 公開（公告）日： | 2018-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙汊濟;趙泰濟;鄭顯秀 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 陳源;張帆 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 貫通 電極 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種具有貫通電極的半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件可包括：第一半導(dǎo)體芯片，其包括上面設(shè)有第一頂部焊盤的第一有源表面；第二半導(dǎo)體芯片，其包括上面設(shè)有第二頂部焊盤的第二有源表面和上面設(shè)有第二底部焊盤的第二無源表面，第二半導(dǎo)體芯片堆疊在第一半導(dǎo)體芯片上以使得第二有源表面面對第一有源表面；以及導(dǎo)電互連部分，其被配置為將第一半導(dǎo)體芯片電連接至第二半導(dǎo)體芯片，其中，導(dǎo)電互連部分包括：第一貫通電極，其穿通第二半導(dǎo)體芯片，并將第二底部焊盤電連接至第二頂部焊盤；以及第二貫通電極，其穿通第二半導(dǎo)體芯片，穿過第二頂部焊盤的水平面而不接觸第二頂部焊盤，并將第二底部焊盤電連接至第一頂部焊盤。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2013年11月7日提交的韓國專利申請No.10-2013-0134933的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
與本公開一致的設(shè)備、裝置、方法和制造制品涉及半導(dǎo)體，并且更具體地說，涉及具有貫通電極的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)
貫通電極用于將半導(dǎo)體器件電連接至另一半導(dǎo)體器件或印刷電路板。與現(xiàn)有技術(shù)的焊料球或焊料突起相比，貫通電極可用于創(chuàng)造三維結(jié)構(gòu)并可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。當(dāng)堆疊具有貫通電極的半導(dǎo)體器件時，慣常做法是將半導(dǎo)體晶圓減薄。減薄工藝通常使用載體以容易處理晶圓。然而，利用載體的缺點在于由于需要附著/拆卸載體而導(dǎo)致高成本。另外，還有另一個缺點在于形成貫通電極會產(chǎn)生關(guān)于良好對齊貫通電極的困難。
發(fā)明內(nèi)容
一個或多個示例性實施例提供了具有貫通電極的半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中在不損壞晶圓的情況下堆疊半導(dǎo)體芯片。
一個或多個示例性實施例還提供了具有貫通電極的半導(dǎo)體器件及其制造方法，其能夠優(yōu)秀地將貫通電極對齊。
一個或多個示例性實施例還提供了具有貫通電極的半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中可在不使用載體的情況下容易地處理減薄的晶圓。
根據(jù)示例性實施例的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：第一半導(dǎo)體芯片，其包括上面設(shè)有第一頂部焊盤的第一有源表面；第二半導(dǎo)體芯片，其包括上面設(shè)有第二頂部焊盤的第二有源表面和上面設(shè)有第二底部焊盤的第二無源表面，第二半導(dǎo)體芯片堆疊在第一半導(dǎo)體芯片上使得第二有源表面面對第一有源表面；以及導(dǎo)電互連部分，其被配置為將第一半導(dǎo)體芯片電連接至第二半導(dǎo)體芯片，其中，導(dǎo)電互連部分包括：第一貫通電極，其穿通第二半導(dǎo)體芯片，并將第二底部焊盤電連接至第二頂部焊盤；以及第二貫通電極，其穿通第二半導(dǎo)體芯片，穿過第二頂部焊盤的水平面而不接觸第二頂部焊盤，并將第二底部焊盤電連接至第一頂部焊盤。
第二頂部焊盤可具有L形，其包括沿著第一水平軸延伸的第一部分和沿著垂直于第一水平軸的第二水平軸延伸的第二部分，并且第二貫通電極在第一部分與第二部分之間豎直地延伸。
第二底部焊盤可具有相對于第二頂部焊盤的L形水平地旋轉(zhuǎn)90度的L形，并且第二底部焊盤與第二頂部焊盤在豎直方向上對齊。
第二貫通電極可設(shè)置在第一頂部焊盤與第二底部焊盤之間，并且第一貫通電極可布置為沿著第一水平軸和第二水平軸中的至少一個與第二貫通電極間隔開。
第二貫通電極可設(shè)置在第一頂部焊盤與第二底部焊盤之間，并且第一貫通電極可布置為沿著第一水平軸與第二水平軸之間的對角線水平軸與第二貫通電極間隔開。
所述器件還可包括介于第一半導(dǎo)體芯片的第一有源表面與第二半導(dǎo)體芯片的第二有源表面之間的絕緣粘合劑層，其中，第二貫通電極還穿通絕緣粘合劑層以連接至第一頂部焊盤。
第一半導(dǎo)體芯片的厚度可等于或大于第二半導(dǎo)體芯片的厚度。
第一半導(dǎo)體芯片還可包括：第一底部焊盤，位于與第一有源表面相對的第一無源表面上；以及貫通電極，其穿通第一半導(dǎo)體芯片，以將第一頂部焊盤電連接至第一底部焊盤。
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