[發(fā)明專(zhuān)利]基于磁控濺射共沉積技術(shù)的電觸頭Ag-TiC納米復(fù)合涂層

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410638057.4
• 申請(qǐng)日: 2014-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104404461B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 祝新發(fā);勵(lì)政偉;陸紅妹;齊進(jìn)艷;李戈揚(yáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海工具廠有限公司;上海交通大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/16;H01H1/0233
• 代理公司: 上海交達(dá)專(zhuān)利事務(wù)所 31201
• 代理人: 王毓理;王錫麟

1.一種基于磁控濺射共沉積技術(shù)的電觸頭Ag‐TiC納米復(fù)合涂層，其特征在于，具有納米尺度且均勻混合的TiC顆粒和Ag晶粒，該復(fù)合涂層的硬度為2.5‐4.2GPa，電阻率為3.4‐16μΩcm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射共沉積技術(shù)的電觸頭Ag‐TiC納米復(fù)合涂層，其特征是，所述的TiC顆粒的含量為1.0‐6.0at.％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射共沉積技術(shù)的電觸頭Ag‐TiC納米復(fù)合涂層，其特征是，所述的Ag晶粒尺寸小于50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射共沉積技術(shù)的電觸頭Ag‐TiC納米復(fù)合涂層，其特征是，所述的TiC顆粒在復(fù)合涂層中形成尺寸小于5nm的聚集態(tài)顆粒，并均勻地分布于Ag晶粒之間。

5.一種根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的電觸頭Ag‐TiC納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，采用氣相沉積的磁控濺射方法得到。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是，所述的磁控濺射方法是指：采用磁控濺射技術(shù)在Ar氣氛中通過(guò)直流陰極濺射金屬Ag，通過(guò)射頻陰極濺射TiC，使濺射的兩種材料共同沉積于真空室中的基片上形成復(fù)合涂層，其中TiC含量通過(guò)TiC或Ag陰極的濺射功率進(jìn)行控制。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是，所述的基體為金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是，所述的磁控濺射方法具體為：在雙靶磁控濺射儀的真空室中放置金屬基片，抽去真空室中的氣體達(dá)到10^‐4Pa的壓強(qiáng)后，對(duì)真空室充入Ar氣并使其保持為0.4^‐3Pa的壓強(qiáng)，采用直流陰極濺射金屬Ag，射頻陰極濺射TiC，濺射靶的尺寸均為通過(guò)Ag和TiC兩種濺射材料的共沉積，在基片上形成Ag‐TiC納米復(fù)合涂層，復(fù)合涂層中的TiC通過(guò)直流和射頻陰極的濺射功率控制。

9.一種上述任一權(quán)利要求中所述的電觸頭Ag‐TiC納米復(fù)合涂層的應(yīng)用，其特征在于，通過(guò)氣相沉積將該涂層直接鍍覆于電器開(kāi)關(guān)元件的觸點(diǎn)上。