[發明專利]一種基于金剛石晶體的復合材料及其制備方法在審
| 申請號： | 201410638045.1 | 申請日： | 2014-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN104451596A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 唐永炳;朱雨;牛卉卉;劉輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院深圳先進技術研究院 |
| 主分類號： | C23C16/27 | 分類號： | C23C16/27;B28D5/04 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 金剛石 晶體 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在碳納米管和/或碳纖維的表面上形成阻隔層；
在所述阻隔層上形成用于引導金剛石晶體沉積的形核位點；
在所述阻隔層上沉積金剛石涂層。
2.如權利要求1所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，所述阻隔層為無定形的硅基緩沖膜、無定形氧化硅或碳化硅。
3.如權利要求2所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，所述阻隔層的厚度小于100nm。
4.如權利要求1至3任一項所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，所述形核位點為納米金剛石籽晶。
5.如權利要求4所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，在所述阻隔層上形成用于引導金剛石晶體沉積的形核位點步驟中，采用偏壓增強成核或者納米金剛石微粒懸浮液超生浴的方法生成形核位點。
6.如權利要求1至3任一項所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，在所述阻隔層上沉積金剛石涂層步驟中，采用等離子體加強化學氣相沉積制備金剛石涂層。
7.如權利要求6所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，所述等離子體加強化學氣相沉積過程中，反應性氣體氣氛的氫氣濃度大于98％；
和/或，所述等離子體加強化學氣相沉積過程中，反應壓力低于100hPa，溫度高于700℃。
8.如權利要求1至3任一項所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法，其特征在于，在所述碳納米管和/或碳纖維的表面上形成阻隔層步驟中，采用電容耦合等離子體化學氣相沉積法形成所述阻隔層。
9.根據權利要求1至8任一項所述的基于金剛石晶體的復合材料的制備方法制備得到的基于金剛石晶體的復合材料。
10.一種采用權利要求9所述的基于金剛石晶體的復合材料制備的微米級線鋸。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
