[發明專利]一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜及其制備方法無效
| 申請號: | 201410637077.X | 申請日: | 2014-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104451826A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 云虹;張志國;錢超;徐群杰;李珊珊 | 申請(專利權)人: | 上海電力學院 |
| 主分類號: | C25D13/08 | 分類號: | C25D13/08 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吳寶根;馬文峰 |
| 地址: | 200090 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 不銹鋼 表面 苯胺 聚乙烯 吡咯烷酮 復合 及其 制備 方法 | ||
1.一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于包括如下步驟:?
(1)、不銹鋼基底的預處理
將不銹鋼依次經600、1000、1500目的金相砂紙打磨,然后依次在乙醇和去離子水中超聲清洗以除去表面油污和雜質,然后將不銹鋼在0.05-0.2mol/L的HCl水溶液中進行化學刻蝕20-60s,取出后在去離子水中超聲清洗;
所述的不銹鋼為304不銹鋼、316不銹鋼、316L不銹鋼或321不銹鋼;
(2)、電解液的配制
將苯胺溶于0.5mol/L的H2SO4水溶液中,其中苯胺的濃度為10-30g/L,攪拌使其溶解,然后加入聚乙烯吡咯烷酮,繼續磁力攪拌0.5h,得到電解液;
聚乙烯吡咯烷的加入量,按苯胺與聚乙烯吡咯烷酮的質量比為1-4:1;?
(3)、將步驟(1)預處理后的不銹鋼基底在步驟(2)所得的電解液中利用上海辰華CHI600E電化學工作站,采用循環伏安法進行電沉積,電位掃描范圍的低電位為-0.6-0V,高電位為0.8-1.2V,掃描段數為10-20段,掃描速率10-50mV/S;
上述電沉積結束后在不銹鋼表面生成一層膜,然后依次經乙醇和去離子水潤洗,然后真空條件下控制溫度為50℃進行干燥,即在不銹鋼的表面形成一層聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜。
2.如權利要求1所述的一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于步驟(2)中聚乙烯吡咯烷的加入量,按苯胺與聚乙烯吡咯烷酮的質量比為1.2-2:1。
3.如權利要求1所述的一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于步驟(2)中苯胺的濃度為30g/L,聚乙烯吡咯烷酮的加入量,按苯胺與聚乙烯吡咯烷酮的質量比為1.2:1;
步驟(3)中電位掃描范圍的低電位為0V,高電位為1.2V,掃描段數為20段,掃描速率50mV/S。
4.如權利要求1所述的一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于步驟(2)中苯胺的濃度為10g/L,聚乙烯吡咯烷酮的加入量,按苯胺與聚乙烯吡咯烷酮的質量比為2:1;
步驟(3)中電位掃描范圍的低電位為-0.6V,高電位為0.8V,掃描段數為10段,掃描速率10mV/S。
5.如權利要求1所述的一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于步驟(2)中苯胺的濃度為23g/L,聚乙烯吡咯烷酮的加入量,按苯胺與聚乙烯吡咯烷酮的質量比為1.92:1;
步驟(3)中電位掃描范圍的低電位為-0.2V,高電位為1.0V,掃描段數為14段,掃描速率20mV/S。
6.如權利要求1所述的一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于步驟(1)中所述的不銹鋼在0.2mol/L的HCl水溶液中進行化學刻蝕60秒;
所述的不銹鋼為321不銹鋼。
7.如權利要求1所述的一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于步驟(1)中所述的不銹鋼在0.05mol/L的HCl水溶液中進行化學刻蝕20秒;
所述的不銹鋼為316不銹鋼。
8.如權利要求1所述的一種不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法,其特征在于步驟(1)中所述的不銹鋼在0.1mol/L的HCl水溶液中進行化學刻蝕40秒;
所述的不銹鋼為304不銹鋼。
9.如權利要求1-8任一所述的不銹鋼表面聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜的制備方法所得的聚苯胺-聚乙烯吡咯烷酮復合膜。
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