[發明專利]硅片和濕法刻蝕系統在審
| 申請號： | 201410636747.6 | 申請日： | 2014-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN104409390A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 黃華;蔣方丹;金浩;陳康平 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 濕法 刻蝕 系統 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅片，包括：
待刻蝕硅片，
復合于所述待刻蝕硅片擴散面的水膜保護層。
2.根據權利要求1所述的保護層，其特征在于，所述水膜保護層為去離子水。
3.一種濕法刻蝕系統，包括：設置于濕法刻蝕設備上料端的水膜噴淋系統。
4.根據權利要求3所述的濕法刻蝕系統，其特征在于，所述水膜噴淋系統包括滴水盒、用于感應待刻蝕硅片進入上料端的感應器、用于接收感應器信號與輸出信號的PLC與接收PLC信號的電磁閥。
5.根據權利要求4所述的濕法刻蝕系統，其特征在于，所述濕法刻蝕設備上料端還有與滴水盒對應設置的壓水輥，所述壓水輥的下部對應設置有導流盒。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
