[發明專利]一種金屬氧化物薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板

在審

• 申請號: 201410635863.6
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN104409513A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 商廣良
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括襯底基板，形成于所述襯底基板上的有源層和源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括分隔開的源電極和漏電極；所述有源層在位于所述源電極和所述漏電極之間的溝道區域具有鏤空結構。

2.如權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述鏤空結構位于所述溝道區域的中間區域。

3.如權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道區域在與所述源電極至所述漏電極延伸方向相垂直方向上的長度大于或等于200um，所述鏤空結構在與所述源電極至所述漏電極延伸方向相垂直方向上的、同一直線上的累積鏤空長度為2～100um。

4.如權利要求3所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述鏤空結構在與所述源電極至所述漏電極延伸方向相垂直方向上的、同一直線上的累積鏤空長度為4～20um。

5.如權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述鏤空結構的圖形包括一個或多個獨立的幾何圖形，或者為多個幾何圖形連接在一起構成的圖形。

6.如權利要求5所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述幾何圖形為正方形、長方形、圓形、橢圓形、菱形或六邊形。

7.如權利要求6所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述鏤空結構的圖形為非等邊的平行六邊形，所述非等邊的平行六邊形小于120度的兩個內角所對應的頂點分別朝向所述源電極和所述漏電極，與所述源電極至所述漏電極延伸方向平行的兩邊分別距相鄰的所述溝道區域的兩邊的間距相等。

8.如權利要求1至7任一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層設置于所述有源層和所述源漏極金屬層之間，所述源漏極金屬層的所述源電極和所述漏電極通過過孔與所述有源層連接。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1至8任一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管。

10.一種金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上依次形成柵電極、柵極絕緣層和有源層，通過構圖工藝使所述有源層形成鏤空結構；

通過濺射工藝在所述有源層之上形成源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括分隔開的源電極和漏電極，所述有源層的所述鏤空結構位于所述源電極和所述漏電極之間。

11.如權利要求10所述的制備方法，其特征在于，通過濺射工藝在所述有源層之上形成源漏極金屬層，還包括：

在所述有源層之上形成刻蝕阻擋層，通過構圖工藝在所述刻蝕阻擋層上形成用于所述源電極和所述漏電極分別與所述有源層連接的過孔。

12.一種金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上依次形成源漏極金屬層和有源層，所述源漏極金屬層包括分隔開的源電極和漏電極；

通過構圖工藝使所述有源層形成鏤空結構，所述鏤空結構位于所述源電極和所述漏電極之間；

在所述有源層之上依次形成柵極絕緣層和柵電極。