[發明專利]有機發光二極管顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201410635479.6
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN104659284B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 姜貞求;申榮訓
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種有機發光二極管顯示裝置的制造方法，包括：以如下順序，

在基板上形成柵極電極；

在設置有所述柵極電極的基板上形成柵極絕緣膜；

在設置有所述柵極絕緣膜的基板上形成溝道層、源極電極和漏極電極；

形成層間絕緣膜；

形成有機發光二極管，所述有機發光二極管包括與所述漏極電極連接的第一電極、形成在所述第一電極上的有機發光層和形成在所述有機發光層上的第二電極；

形成具有低于10％的氫含量的SiON的鈍化層，所述鈍化層是通過將HMDS(N)和/或HMDS(O)與等離子態的分子氧或分子氮在100℃以下進行聚合而形成于設置有所述有機發光二極管的基板的整個表面上以完全包覆所述有機發光二極管，以使得所述鈍化層將有機發光二極管與外部隔離，以保護其免于外部濕氣的影響，減小氫含量并防止形成于OLED下方的薄膜晶體管的性能劣化；和

在設置有所述鈍化層的基板上形成密封層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中當所述鈍化層是通過HMDS(N)形成時，所述鈍化層的氫含量低于6.3％。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化層是使用HMDS(N)和/或HMDS(O)以多層結構來形成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化層由SiNx、SiONx、SiOx和SiOCx其中之一來形成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述柵極絕緣膜是使用有機硅化合物來形成。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述有機硅化合物為HMDS(N)和HMDS(O)其中之一。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述柵極絕緣膜形成為包括多層結構。

8.根據權利要求5所述的方法，其中所述柵極絕緣膜具有10nm～1μm的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化層具有30nm～3μm的厚度。