[發(fā)明專利]激光熔覆制備極限電流型氧傳感器致密擴散障礙層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410635268.2
• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN104357836A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉濤;葛啟楨;侯羽航;秦華杰
• 申請（專利權(quán)）人: 東北大學
• 主分類號: C23C24/10
• 分類號: C23C24/10
• 代理公司: 沈陽東大知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 21109
• 代理人: 李在川

1.一種激光熔覆制備極限電流型氧傳感器致密擴散障礙層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)采用預置法將致密擴散障礙層粉體La_0.84Sr_0.16MnO₃或La_0.8Sr_0.2Ga_0.2Fe_0.8O_3-δ粘附在La_0.8Sr_0.2Ga_0.83Mg_0.17O_3-δ或ZrO₂(Y₂O₃)固體電解質(zhì)表面；

(2)利用激光器將上述的致密擴散障礙層粉體熔覆在固體電解質(zhì)表面，粉體快速冷卻形成一層合金熔覆層，即得到了覆蓋有致密擴散障礙層的固體電解質(zhì)，制得的致密擴散障礙層的厚度≤2mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光熔覆制備極限電流型氧傳感器致密擴散障礙層的方法，其特征在于，所述致密擴散障礙層粉體La_0.84Sr_0.16MnO₃或La_0.8Sr_0.2Ga_0.2Fe_0.8O_3-δ的預置粉末厚度≤3mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光熔覆制備極限電流型氧傳感器致密擴散障礙層的方法，其特征在于，所述激光熔覆工藝參數(shù)為：激光功率1～2.5kW，光斑直徑≤5mm，掃描速度2～5mm/s，搭接率10～30％。