[發(fā)明專利]復合電子組件、制造方法、板及復合電子組件的封裝單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410635204.2 | 申請日: | 2014-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN105281306B | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金鎮(zhèn)換;小野雅章;樸財瑩;田中一郎;李昶浩 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H02H9/00 | 分類號: | H02H9/00;H02H9/04;H05K1/18;H05K13/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓芳;薛義丹 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合 電子 組件 制造 方法 封裝 單元 | ||
提供了一種復合電子組件、制造方法、板及復合電子組件的封裝單元。所述復合電子組件由包括彼此結合的電容器和靜電放電(ESD)保護器件的復合主體組成。電容器包括陶瓷主體,在陶瓷主體中堆疊有多個介電層和內電極,各個介電層設置在內電極之間。ESD保護器件包括設置在陶瓷主體上的第一電極和第二電極、設置在第一電極和第二電極之間的放電部件以及設置在第一電極和第二電極以及放電部件上的保護層。輸入端子設置在復合主體的第一端表面上并且連接到內電極與第一電極。接地端子形成在復合主體的第二端表面上并且連接到內電極與第二電極。
本申請要求于2014年5月26號提交到韓國知識產(chǎn)權局的第10-2014-0063094號韓國專利申請的權益,該韓國專利申請的公開通過引用包含于此。
技術領域
本公開涉及一種包括多個無源器件的復合電子組件、一種制造該復合電子組件的方法、一種用來安裝該復合電子組件的板以及該復合電子組件的一種封裝單元。
背景技術
近來,根據(jù)半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,已經(jīng)嘗試用于使其小型化并且改善其性能水平的超高集成的集成電路(IC),如此,已經(jīng)難以解決這些超小型化IC中的靜電放電(ESD)的問題。因此,在諸如IC的電源和信號輸入端子中使用靜電放電保護器件的需要增加。
隨著諸如移動電話、數(shù)碼相機和個人數(shù)字助理(PDA)的便攜產(chǎn)品、高速數(shù)據(jù)線、通用串行總線(USB)線、高分辨率多媒體接口(HDMI)線等的數(shù)據(jù)率逐漸增加,防靜電放電(ESD)的措施也變得重要。
另外,諸如車輛、電視(TV)等的產(chǎn)品需要用來使電子板之間的連接線互連的連接器。由于這樣的連接器可能在制造工藝中容易被工作人員接觸或者被裝置使用者接觸,所以在這種連接器中,為改善產(chǎn)品可靠性,防噪聲和防ESD的措施也變得非常重要。
作為用來防止ESD的組件,多層陶瓷電容器(MLCC)、瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管、壓敏電阻、ESD抑制器等已經(jīng)被單獨地使用,或者將這些組件并聯(lián)連接使用。
在這種情況下,不可避免的增加了電子設備中設置有組件的面積,這會限制電子設備的小型化。
另外,在除了MLCC以外的組件中,難以獲得MLCC所獨有的諸如噪聲過濾特性的電特性。因此,除了在超高頻率通信終端的情況以外,極少單獨使用除了MLCC以外的組件。
發(fā)明內容
這里所描述的是一種能夠被安裝在減小的面積(區(qū)域)中的復合電子組件、一種制造該復合電子組件的方法、一種用來安裝該復合電子組件的板以及一種該復合電子組件的封裝單元。
根據(jù)本公開的實施例,所述復合電子組件包括:電容器,具有主體,在主體中布置有通過介電材料分隔的內電極;靜電放電(ESD)保護器件,設置在電容器的主體上并且具有結合到電容器的內電極的電極,ESD具有放電部件以及位于放電部件的相對部分處的第一電極和第二電極;以及輸入端子和接地端子,結合到ESD的第一電極和第二電極。
在一些實施例中,所述復合電子組件可以更具體地包括:復合主體,包括彼此結合的電容器和靜電放電(ESD)保護器件,電容器包括陶瓷主體,在陶瓷主體中堆疊有多個介電層和設置為彼此面對的內電極,各個介電層設置在內電極之間,ESD保護器件包括設置在陶瓷主體上的第一電極和第二電極、設置在第一電極和第二電極之間的放電部件以及設置在第一電極和第二電極以及放電部件上的保護層。
ESD保護器件可以設置在陶瓷主體的下表面上。
在一些實施例中,所述復合電子組件可以包括:復合主體,噪聲過濾單元和設置在噪聲過濾單元下方的ESD保護器件在復合主體中彼此結合;以及輸入端子和接地端子,結合到復合主體。噪聲過濾單元可以過濾輸入到輸入端子的信號的噪聲分量,ESD保護器件可以對輸入到輸入端子的超出額定電壓的任意過電壓進行旁路。
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