[發明專利]一種硅片的P擴散方法和太陽能電池的制備方法

有效

• 申請號: 201410634662.4
• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN104409339A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 葉飛;蔣方丹;金浩;陳康平
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L21/228
• 分類號: H01L21/228;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種硅片的P擴散方法，包括以下步驟：

將制絨后的硅片進行P擴散，所述P擴散具體包括：

在包括N₂的氣氛下，以第一升溫速率進行第一升溫，將P擴散環境溫度升至第一溫度，所述第一升溫速率≥6℃/min，所述第一溫度為800℃～820℃；

在包括N₂、O₂和N₂-POCl₃的氣氛下，將制絨后的硅片在不高于所述第一溫度的條件下，進行第一沉積；

在包括N₂和O₂的氣氛下，將所述第一沉積后的硅片在不高于所述第一溫度的條件下，進行第一推進；

在包括N₂的氣氛下，以第二升溫速率進行第二升溫，將P擴散環境溫度升至第二溫度，所述第二升溫速率≥6℃/min，所述第二溫度為820℃～835℃；

在包括N₂、O₂和N₂-POCl₃的氣氛下，將第一推進后的硅片在不高于所述第二溫度的條件下，進行第二沉積；

在包括N₂和O₂的氣氛下，將所述第二沉積后的硅片在不高于所述第二溫度的條件下，進行第二推進；

在包括N₂的氣氛下，以第三升溫速率進行第三升溫，將P擴散環境溫度升至第三溫度，所述第三升溫速率≥6℃/min，所述第三溫度為820℃～850℃；

在包括N₂、O₂和N₂-POCl₃的氣氛下，將所述第二推進后的硅片在不高于所述第三溫度的條件下，進行第三沉積；

在包括N₂和O₂的氣氛下，將所述第三沉積后的硅片在不高于所述第三溫度的條件下，進行第三推進；

完成所述第三推進后，在包括N₂的氣氛下，將P擴散環境溫度以第四速率降溫至第四溫度，所述第四速率≥6℃/min，所述第四溫度為780℃～810℃；

在不高于所述第四溫度的條件下，將所述第三推進后的硅片在N₂氣氛下吸雜，得到包含有PN結的硅片。

2.根據權利要求1所述的P擴散方法，其特征在于，所述P擴散在擴散爐中進行；

在N₂氣氛下，所述制絨后的硅片進入所述擴散爐進行P擴散；

所述制絨后的硅片進入所述擴散爐的溫度為760℃～790℃。

3.根據權利要求1所述的P擴散方法，其特征在于，所述第一升溫速率為6℃/min～20℃/min；

所述第一溫度為805℃～815℃；

在所述第一升溫中，所述N₂的流量為5L/min～15L/min。

4.根據權利要求1所述的P擴散方法，其特征在于，所述第一沉積的時間為5min～20min；

在所述第一沉積中，所述N₂的流量為5L/min～10L/min，所述O₂的流量為500mL/min～800mL/min，所述N₂-POCl₃的流量為800mL/min～1000mL/min。

5.根據權利要求1所述的P擴散方法，其特征在于，所述第一推進的時間為1min～15min；

在所述第一推進中，所述N₂的流量為5L/min～20L/min，所述O₂的流量為600mL/min～1000mL/min。

6.根據權利要求1所述的P擴散方法，其特征在于，所述第二升溫速率為6℃/min～20℃/min；

所述第二溫度為825℃～830℃；

在所述第二升溫中，所述N₂的流量為5L/min～15L/min。