[發(fā)明專利]一種基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體

有效

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• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN104316169A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設計）人: 胡放榮;張隆輝;王月娥;陳濤;張麗娟
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G01J1/04
• 分類號: G01J1/04
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 歐陽波

1.一種基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，包括基底、金屬層和氧化釩層，其特征在于：

包括由下至上依次重疊的硅基底(1)、金屬層(2)、氧化釩層(3)、介質層(4)和氧化釩光柵(5)，硅基底(1)、金屬層(2)、氧化釩層(3)和介質層(4)均為相同的矩形，各層的中心處于同一直線上、構成長方體的吸波體單元，所述氧化釩光柵(5)每一個柵條都為矩形線條，且平行于介質層矩形的邊。

2.根據權利要求1所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的硅基底(1)、金屬層(2)、氧化釩層(3)和介質層(4)的矩形長度和寬度為100～500微米，長和寬的比例為3：1～1：1。

3.根據權利要求1所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的金屬層(2)的材料是金、銀、銅和鋁中的任一種，其厚度為0.05～1微米。

4.根據權利要求1所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的硅基底(1)，其厚度為100～500微米。

5.根據權利要求1所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的氧化釩層(3)厚度為0.1～2微米。

6.根據權利要求1所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的介質層(4)是聚合物層或者二氧化硅層，其厚度為2～30微米。

7.根據權利要求1所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的氧化釩光柵(5)柵條的厚度為0.2～2微米。

8.根據權利要求7所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的氧化釩光柵(5)每個柵條的寬度為2～20微米；柵條的中心間距為6～40微米。

9.根據權利要求7所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

所述的氧化釩光柵(5)各柵條的側邊緣、前端和后端距離介質層邊緣的最小距離為2～12微米。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的基于氧化釩光柵的太赫茲頻段可調超寬帶吸波體，其特征在于：

多個所述的吸波體單元組成N×N的緊密的二維陣列，N≥10，組成的二維陣列長或寬大于入射吸波體表面的太赫茲波束直徑的1～10倍。