[發明專利]一種基于光電隔離的快沿脈沖發生器

在審

• 申請號: 201410633270.6
• 申請日: 2014-11-11
• 公開（公告）號: CN104467748A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 徐碧輝;唐建;李廷凱;梅勇;宋方偉;曾熠;陳琴;蒲實
• 申請（專利權）人: 綿陽市維博電子有限責任公司
• 主分類號: H03K3/02
• 分類號: H03K3/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種基于光電隔離的快沿脈沖發生器，其特征在于，包括：處理器單元、光電隔離脈沖產生單元、脈沖幅度控制單元、上升沿控制單元和快沿脈沖產生單元；

所述處理器單元，用于與上位機進行信息交流，發送原始脈沖信號，并對獲取的脈沖參數信息進行處理，得到脈沖控制指令；

所述光電隔離脈沖產生單元，用于根據所述脈沖控制指令對所述原始脈沖信號進行隔離，產生第一脈沖信號；

所述脈沖幅度控制單元，用于根據所述脈沖控制指令控制輸出電壓的大小；

所述上升沿控制單元，用于根據所述第一脈沖信號和所述輸出電壓控制所述快沿脈沖產生單元產生納秒級前沿上升沿的第二脈沖信號。

2.根據權利要求1所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述處理器單元具體通過PCI總線與上位機相連。

3.根據權利要求1所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述處理器單元包括：FPGA芯片和外圍配置電路。

4.根據權利要求1所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述脈沖參數信息包括：脈沖幅度值、脈沖寬度、脈沖開關。

5.根據權利要求1所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述脈沖幅度控制單元包括：數字電位單元和高壓電源單元；

所述數字電位單元用于根據所述脈沖控制指令中的電阻值設置信息設置電阻值，運用分壓改變所述高壓電源單元的參考電壓，控制所述高壓電源單元的輸出電壓。

6.根據權利要求5所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述數字電位單元還用于將所述電阻值設置信息存儲于寄存器中。

7.根據權利要求1所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述上升沿控制單元包括：MOSFET驅動單元和儲能單元；

所述MOSFET驅動單元，用于將所述第一脈沖信號進行再處理，生成第三脈沖信號驅動打開所述快沿脈沖產生單元中的MOSFET；

所述儲能單元用于當所述MOSFET打開時提供瞬間大電流，保障所述第二脈沖信號的上升沿。

8.根據權利要求7所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述儲能單元由瓷片電容構成。

9.根據權利要求7所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，還包括：隔離電源單元，用于將所述第二脈沖信號作為參考地，并輸出電源供給所述光電隔離脈沖產生單元和所述MOSFET驅動單元。

10.根據權利要求9所述的快沿脈沖發生器，其特征在于，所述電源具體為基于所述第二脈沖信號作為零電勢點的5V電源。