[發明專利]功率放大模塊有效
| 申請號: | 201410632620.7 | 申請日: | 2014-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN104639067B | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 中村隼人;有家光夫;松岡正;大奈路勉 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H03F3/20 | 分類號: | H03F3/20;H03G3/30 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 熊風 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體管 功率放大模塊 增益控制電流 增益控制電壓 偏壓電流 生成電路 控制電壓 共射共基連接 發射極接地 集電極輸出 上升特性 輸出信號 可調整 放大 | ||
1.一種功率放大模塊,其特征在于,包括:
第一增益控制電流生成電路,該第一增益控制電流生成電路生成根據控制電壓而變化的第一增益控制電流;
第一偏壓電流生成電路,該第一偏壓電流生成電路生成與所述第一增益控制電流相應的第一偏壓電流;
增益控制電壓生成電路,該增益控制電壓生成電路生成根據所述控制電壓而變化的增益控制電壓;
第一晶體管,該第一晶體管的發射極接地、向該第一晶體管的基極提供輸入信號和所述第一偏壓電流;以及
第二晶體管,該第二晶體管與所述第一晶體管進行共射共基連接,向該第二晶體管的基極提供所述增益控制電壓,從該第二晶體管的集電極輸出對所述輸入信號進行放大后得到的第一輸出信號,
所述第一增益控制電流生成電路以如下方式生成所述第一增益控制電流,即,所述控制電壓為第一電平時的所述第一增益控制電流的增加率比所述控制電壓為第二電平時的所述第一增益控制電流的增加率要小,該第二電平比所述第一電平要高,
所述增益控制電壓生成電路以使得所述增益控制電壓伴隨著所述控制電壓呈線性變化的方式生成所述增益控制電壓。
2.如權利要求1所述的功率放大模塊,其特征在于,
所述第一增益控制電流生成電路以如下方式生成所述第一增益控制電流,即,所述第一增益控制電流隨著所述控制電壓進行二次曲線變化。
3.如權利要求1或2所述的功率放大模塊,其特征在于,
還包括負反饋電路,該負反饋電路設置在所述第二晶體管的所述集電極與所述第一晶體管的所述基極之間。
4.如權利要求1或2所述的功率放大模塊,其特征在于,
還包括低通濾波器,該低通濾波器與所述第二晶體管的所述基極相連接。
5.如權利要求3所述的功率放大模塊,其特征在于,
還包括低通濾波器,該低通濾波器與所述第二晶體管的所述基極相連接。
6.如權利要求1或2或5所述的功率放大模塊,其特征在于,還包括:
第二增益控制電流生成電路,該第二增益控制電流生成電路生成根據所述控制電壓而變化的第二增益控制電流;
第二偏壓電流生成電路,該第二偏壓電流生成電路生成與所述第二增益控制電流相應的第二偏壓電流;以及
第三晶體管,該第三晶體管的發射極接地,向該第三晶體管的基極提供所述第一輸出信號和所述第二偏壓電流,從該第三晶體管的集電極輸出對所述第一輸出信號進行放大后得到的第二輸出信號。
7.如權利要求3所述的功率放大模塊,其特征在于,還包括:
第二增益控制電流生成電路,該第二增益控制電流生成電路生成根據所述控制電壓而變化的第二增益控制電流;
第二偏壓電流生成電路,該第二偏壓電流生成電路生成與所述第二增益控制電流相應的第二偏壓電流;以及
第三晶體管,該第三晶體管的發射極接地,向該第三晶體管的基極提供所述第一輸出信號和所述第二偏壓電流,從該第三晶體管的集電極輸出對所述第一輸出信號進行放大后得到的第二輸出信號。
8.如權利要求4所述的功率放大模塊,其特征在于,還包括:
第二增益控制電流生成電路,該第二增益控制電流生成電路生成根據所述控制電壓而變化的第二增益控制電流;
第二偏壓電流生成電路,該第二偏壓電流生成電路生成與所述第二增益控制電流相應的第二偏壓電流;以及
第三晶體管,該第三晶體管的發射極接地,向該第三晶體管的基極提供所述第一輸出信號和所述第二偏壓電流,從該第三晶體管的集電極輸出對所述第一輸出信號進行放大后得到的第二輸出信號。
9.如權利要求6所述的功率放大模塊,其特征在于,
還包括第四晶體管,該第四晶體管與所述第三晶體管進行共射共基連接,向該第四晶體管的基極提供所述增益控制電壓,從該第四晶體管的集電極輸出所述第二輸出信號。
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