[發明專利]一種用于高真空環境的半導體冷卻裝置有效
| 申請號: | 201410632188.1 | 申請日: | 2014-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN105655271B | 公開(公告)日: | 2018-07-03 |
| 發明(設計)人: | 李學威;管莉娜;趙治國;何書龍;王文釗;吳青海 | 申請(專利權)人: | 沈陽新松機器人自動化股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 許宗富 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 冷卻盤 支撐機構 半導體冷卻裝置 冷卻 高真空環境 氣動舉升 支架機構 隔熱 晶圓 舉升 半導體 半導體加工技術 半導體加工 高溫半導體 有效地實現 溫度過高 自動升降 | ||
1.一種用于高真空環境的半導體冷卻裝置,包括晶圓支撐機構(1)、舉升PIN支架機構(2)、冷卻盤機構(3)、冷卻盤隔熱支撐機構(4)和氣動舉升機構(5),
所述晶圓支撐機構(1)、舉升PIN支架機構(2)、冷卻盤隔熱支撐機構(4)設置在所述冷卻盤機構(3)上,所述冷卻盤機構(3)設置在所述氣動舉升機構(5)上;
所述晶圓支撐機構(1),用于支撐無需冷卻的晶圓;
所述舉升PIN支架機構(2),用于升降待冷卻的晶圓;
所述冷卻盤隔熱支撐機構(4),用于隔離晶圓與所述冷卻盤機構(3)以及支撐晶圓;
所述氣動舉升機構(5),用于晶圓升降提供動力源。
2.如權利要求1所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,所述晶圓支撐機構(1)包括晶圓雙爪支撐架(18)、晶圓單爪支撐架(19)和多個爪部石英支柱(20),所述晶圓雙爪支撐架(18)、晶圓單爪支撐架(19)分別設置在所述冷卻盤機構(3)的兩側,所述多個爪部石英支柱(20)分別設置在晶圓雙爪支撐架(18)、晶圓單爪支撐架(19)上。
3.如權利要求1所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,所述舉升PIN支架機構(2)設置在所述冷卻盤機構(3)上方、且與所述氣動舉升機構(5)連接,包括PIN支架(8)、PIN支架夾緊裝置(9)和PIN石英支柱(10),所述PIN支架(8)和PIN支架夾緊裝置(9)連接,所述PIN石英支柱(10)設置在所述PIN支架(8)和PIN支架夾緊裝置(9)之間。
4.如權利要求3所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,所述PIN支架(8)為Y型。
5.如權利要求1所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,所述冷卻盤機構(3)包括冷盤(6)和設置在所述冷盤(6)下部的水路密封板(7),所述冷盤(6)和水路密封板(7)通過O型圈密封,所述O型圈設置在所述冷盤(6)的密封槽內,冷卻水在所述冷盤(6)和水路密封板(7)之間的水路流動。
6.如權利要求1所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,所述冷卻盤隔熱支撐機構(4)為一具有平臺面的冷卻盤支撐石英球(21),所述冷卻盤支撐石英球(21)的平臺面與所述冷卻盤機構(3)相連,且所述冷卻盤支撐石英球(21)固定在所述冷卻盤機構(3)上。
7.如權利要求1所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,所述氣動舉升機構(5)包括氣缸支撐蓋(15)、氣缸連接轉接板(14)、氣缸(13)、氣缸支撐架(12)和頂起軸(11),
所述氣缸支撐架(12)位于所述冷卻盤機構(3)的下方且與所述冷卻盤機構(3)固定連接;所述氣缸支撐蓋(15)固定連接在所述氣缸支撐架(12)底部,所述氣缸支撐蓋(15)與所述氣缸支撐架(12)形成一腔體;所述氣缸(13)位于所述腔體內,且所述氣缸(13)的固定端固定在氣缸支撐蓋(15)上;所述氣缸連接轉接板(14)的底部與所述氣缸(13)的伸縮端固定連接,所述氣缸連接轉接板(14)的頂部與所述頂起軸(11)固定連接;所述頂起軸(11)貫穿所述冷卻盤機構(3),且所述頂起軸(11)相對所述冷卻盤機構(3)升降運動。
8.如權利要求7所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,所述氣動舉升機構(5)還包括氣缸支架外罩(16),所述氣缸支架外罩(16)設置在所述氣缸支撐架(12)外部。
9.如權利要求1所述的半導體冷卻裝置,其特征在于,還包括密封連接機構,所述密封連接機構包括密封波紋管(22)、中心支架(23)、中心支架(24),所述密封波紋管(22)用于所述氣動舉升機構(5)的頂起軸(11)與所述冷卻盤機構(3)的密封和相對運動;所述密封波紋管(22)的底部與頂起軸(11)的底部通過中心支架(24)密封;所述密封波紋管(22)的頂部與冷卻盤機構(3)的底部通過中心支架(23)密封。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





