[發明專利]基于混合型分數階積分電路模塊的0.2階含x方Chen混沌系統電路

有效

• 申請號: 201410631451.5
• 申請日: 2014-11-11
• 公開（公告）號: CN104393983A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 胡春華
• 申請（專利權）人: 胡春華
• 主分類號: H04L9/00
• 分類號: H04L9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種通用分數階積分電路模塊及其0.2階混沌系統電路實現，特別涉及一種基于混合型分數階積分電路模塊的0.2階含x方的Chen混沌系統電路。

背景技術

因為實現分數階混沌系統的電路的電阻和電容都是非常規電阻和電容，一般采用電阻串聯和電容并聯的方法實現，目前，實現的主要方法是利用現有的電阻和電容在面包板上組合的方法，這種方法可靠性和穩定性比較低，并且存在容易出錯，出錯后不易查找等問題，本發明為克服這個問題，采用混合型結構，設計制作了PCB電路，電路由六部分組成，每部分電阻由四個電阻和一個電位器串聯組成，每部分電容由四個電容并聯組成，第一部分為電阻和電容的并聯，以后部分中的電阻都是與前面部分的整體電路串聯，然后與該部分電容并聯組成通用分數階積分模塊電路，0.2階分數階積分電路由前四部分組成，后兩部分的電阻為零，電容懸空，采用這種方法的實現0.2階分數階混沌系統電路，可靠性高，不易出錯。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種基于混合型分數階積分電路模塊的0.2階含x方的Chen混沌系統電路，本發明采用如下技術手段實現發明目的：

1、一種混合型分數階積分電路模塊，其特征是在于：電阻Rx與電容Cx并聯，形成第一部分，第一部分與電阻Ry串聯后再與電容Cy并聯，形成第二部分，前兩部分與電阻Rz串聯后再與電容Cz并聯，形成第三部分，前三部分與電阻Rw串聯后再與電容Cw并聯，形成第四部分，前四部分與電阻Ru串聯后再與電容Cu并聯，形成第五部分，前五部分與電阻Rv串聯后再與電容Cv并聯，形成第六部分，輸出引腳A接第一部分，輸出引腳B接第六部分。

2、根據權利要求1所述一種混合型分數階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻Rx由電位器Rx1和電阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串聯組成，所述電容Cx由電容Cx1、Cx2、Cx3、Cx4并聯組成；所述電阻Ry由電位器Ry1和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯組成，所述電容Cy由電容Cy1、Cy2、Cy3、Cy4，并聯組成；所述電阻Rz由電位器Rz1和電阻Rz2、Rz3、Rz4、Rz5串聯組成，所述電容Cz由電容Cz1、Cz2、Cz3、Cz4并聯組成；所述電阻Rw由電位器Rw1和電阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯組成，所述電容Cw由電容Cw1、Cw2、Cw3、Cw4并聯組成；所述電阻Ru由電位器Ru1和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯組成，所述電容Cu由電容Cu1、Cu2、Cu3、Cu4并聯組成；所述電阻Rv由電位器Rv1和電阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串聯組成，所述電容Cv由電容Cv1、Cv2、Cv3、Cv4并聯組成。

3、根據權利要求1所述一種混合型分數階積分電路模塊，所述0.2階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻Rx＝0.9931M，所述電位器Rx1＝3.1K，所述電阻Rx2＝500K、Rx3＝470K、Rx4＝10K、Rx5＝0K，所述電容Cx＝28.680uF，所述電容Cx1＝10uF、Cx2＝4.7uF、Cx3＝1uF、Cx4＝470nF；所述電阻Ry＝0.6624M，所述電位器Ry1＝0.4K,所述電阻Ry2＝510K、Ry3＝100K、Ry4＝51K、Ry5＝0K，所述電容Cy＝2.6770uF，所述電容Cy1＝2.2uF、Cy2＝470nF、Cy3＝6.8nF、Cy4懸空；所述電阻Rz＝0.3881M，所述電位器Rz1＝4.1K和所述電阻Rz2＝200K、Rz3＝100K、Rz4＝51K、Rz5＝33K，所述電容Cz＝0.2736uF，所述電容Cz1＝220nF、Cz2＝47nF、Cz3＝6.8、Cz4懸空；所述電阻Rw＝0.4685M，所述電位器Rw1＝3.4K和所述電阻Rw2＝220K、Rw3＝220K、Rw4＝20K、Rw5＝5.1K，所述電容Cw＝12.59nF，所述電容Cw1＝10nF、Cw2＝2.2nF、Cw3＝0.33nF、Cw4懸空；所述電阻Ru、Rv均為零，所述電容Cu、Cv均懸空。

4、基于混合型分數階積分電路模塊的0.2階含x方的Chen混沌系統電路，其特征在于：

(1)含x方的Chen階混沌系統i為：