[發(fā)明專利]一種微顆粒的測量方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410630911.2 | 申請日: | 2014-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN105575839A | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王國荃;俞子華 | 申請(專利權(quán))人: | 上海凸版光掩模有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 200233 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顆粒 測量方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造及環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域,特別是涉及一種微顆粒的測量方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體制造設(shè)備對內(nèi)部環(huán)境的潔凈度要求極高,然而由于受設(shè)備自身和設(shè)備周圍環(huán)境影 響,其內(nèi)部總是不可避免的存在顆粒、金屬雜質(zhì)等污染源。同時在設(shè)備運行過程中,各運動 部件的運動不可避免的產(chǎn)生摩擦,在相對濕度較低的硅片加工環(huán)境中,摩擦很容易產(chǎn)生高級 別的靜電荷,成為硅片表面的又一污染源。這些污染源能使硅片上的芯片電學(xué)失效,據(jù)統(tǒng)計 80%的芯片報廢是由污染引起。
然而,當(dāng)前使用的潔凈工作室在工作時,操作人員往往不知道工作區(qū)的潔凈狀況,只能 通過定期使用相關(guān)的檢測設(shè)備,如塵埃粒子計數(shù)器等對其工作性能進(jìn)行檢測,不能對潔凈工 作室的工作狀況進(jìn)行實時的監(jiān)控。
例如,半導(dǎo)體制造車間中的貼膜區(qū),一般空間較小,潔凈度要求很高,通常要求是10級 或1級,需要對其進(jìn)行潔凈度的監(jiān)控,然而,現(xiàn)有的潔凈度監(jiān)控方法具有以下幾個缺點:
第一,現(xiàn)有測量儀價格非常昂貴,而且只能計數(shù),適合較大區(qū)域的測量,在空間的邊角 位置無法測量。
第二,由于設(shè)備有風(fēng)扇等工作,其測試的過程中可能產(chǎn)生顆粒,產(chǎn)生新的污染環(huán)境,從 而降低潔凈度。
第三,現(xiàn)有的測試過程十分復(fù)雜,需要受過培訓(xùn)的專業(yè)技術(shù)員進(jìn)行操作,容易造成人力 成本的浪費。
鑒于以上原因,提供一種步驟簡單,測試區(qū)域靈活以及測試成本較低的微顆粒的測量方 法實屬必要。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種微顆粒的測量方法,用于解 決現(xiàn)有技術(shù)中潔凈度的檢測步驟復(fù)雜、測試不靈活以及成本較高的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種微顆粒的測量方法,所述測量方法至 少包括:
1)提供一潔凈的透明基板,測量該透明基板原始的潔凈度;
2)將所述透明基板放置于待測定區(qū)域一預(yù)設(shè)時間,以沉著微顆粒;
3)測量所述透明基板最終的潔凈度;
4)依據(jù)所述最終的潔凈度及所述原始的潔凈度獲得帶測定區(qū)域的潔凈度。
作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案,所述潔凈度的衡量指標(biāo)包括微顆粒的 數(shù)量及大小。
進(jìn)一步地,所述微顆粒為粒徑不小于0.3微米的顆粒。
優(yōu)選地,所述潔凈度的衡量指標(biāo)還包括微顆粒的形狀。
作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案,采用顆粒檢測儀測定所述透明基板的 潔凈度。
進(jìn)一步地,所述顆粒檢測儀基于所述透明基板表面的反射光及透射光合成原理測定所述 透明基板的潔凈度。
優(yōu)選地,通過調(diào)整透射光和反射光的強度合成比例實現(xiàn)多角度研究顆粒的形狀。
作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案,還包括采用所述顆粒檢測儀對沉著有 微顆粒的透明基板進(jìn)行拍照、放大顯示以及統(tǒng)計的步驟。
作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案,所述透明基板為帶定位標(biāo)記的透明基 板,包括石英板及玻璃板的一種。
作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案,所述預(yù)設(shè)時間為1~600分鐘。
如上所述,本發(fā)明提供一種微顆粒的測量方法,所述測量方法至少包括:1)提供一潔凈 的透明基板,測量該透明基板原始的潔凈度;2)將所述透明基板放置于待測定區(qū)域一預(yù)設(shè)時 間,以沉著微顆粒;3)測量所述透明基板最終的潔凈度;4)依據(jù)所述最終的潔凈度及所述 原始的潔凈度獲得帶測定區(qū)域的潔凈度。本發(fā)明的測量方法非常適合小環(huán)境,潔凈度要求很 高的測量,它相對傳統(tǒng)顆粒測量方法具有以下優(yōu)點:第一,測量過程簡單方便,可以放置任何 位置;第二,無污染;第三,由于放置位置的精確,三維空間的定位非常精確,顆粒的數(shù)量、 大小、形狀可精確定位,并可進(jìn)行拍照保存。
附圖說明
圖1顯示為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的步驟流程示意圖。
圖2~4顯示為本發(fā)明的微顆粒的測量方法各步驟的具體操作示意圖。
元件標(biāo)號說明
101透明基板
102原始沉著的微顆粒
103最終沉著的微顆粒
具體實施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





