[發明專利]一種含苯并惡嗪的異方性導電膜及其制備方法無效
| 申請號: | 201410627382.0 | 申請日: | 2014-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN104312471A | 公開(公告)日: | 2015-01-28 |
| 發明(設計)人: | 劉呈貴;龔火烘;趙昌后;孔翔雨;肖仁亮;萬賢飛 | 申請(專利權)人: | 深圳市飛世爾實業有限公司 |
| 主分類號: | C09J7/02 | 分類號: | C09J7/02;C09J9/02;C09J179/04;C09J171/12;C09J167/00;C09J11/08;C09J11/04 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 異方性 導電 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于微電子封裝技術領域,具體涉及一種含有苯并惡嗪的異方性導電膜及其制備方法。
背景技術
隨著電子設備向輕、薄、小的方向發展,傳統的錫鉛焊接工藝已不能滿足要求。一種在Z方向導通,X、Y方向絕緣的異方性導電膜應運而生。目前各式各樣的異方性導電膜(ACF)已廣泛應用于各種微電路的連接上,為電子設備的薄型化、小型化、撓型化作出了突出貢獻。但隨著時代的發展,人們對電子設備的要求越來越高,尤其是那些在高溫度、高濕度環境下使用的設備,要求設備中微電路的連接更加牢固可靠,更能耐溫耐濕、耐溫變。而現有的ACF主要有兩大類,一類是環氧樹酯型,一類是聚丙烯酸酯型,由這兩類物質制成的ACF在熱壓合固化聚合時都有小分子產生。這兩類ACF都必須使用固化劑,而固化劑在固化過程中也會有小分子產生。另外固化劑在固化過程中難免有殘留,而這些殘留的固化劑對其固化物有較大的損害作用,使其不耐老化以致縮短使用壽命等。
發明內容
本發明的目的是提供一種含苯并惡嗪的異方性導電膜及其制備方法。該異方性導電膜不含固化劑、引發劑或催化劑,在熱壓合過程中無小分子產生,固化物密實度好、收縮率小、熱膨脹系數小、孔隙率低、內應力小、耐溫耐濕性能強、耐溫變性能好、粘著力大,尤其適用于高溫高濕環境下使用的電子設備。
為實現上述目的,本發明采取以下技術方案:一種含苯并惡嗪的異方性導電膜,其包括一層柔性基材以及一層異方性導電膠層,該異方性導電膠層由一種異方性導電膠涂布在上述柔性基材上干燥后制成;
上述異方性導電膠由下列按照重量百分比計的組分組成:
上述苯并惡嗪及其衍生物單體是下列物質中的一種或幾種的混合物:二元酚型苯并惡嗪及其衍生物、二元胺型苯并惡嗪及其衍生物、萘酚型苯并惡嗪及其衍生物、含不飽和鍵型苯并惡嗪及其衍生物、含硅型苯并惡嗪及其衍生物;
上述苯并惡嗪衍生物是指在苯并惡嗪的苯環或惡嗪環的鄰位、對位、間位上,被烴基、羧基、醛基、羥基、酯基、氨基、羰基、酰基、硝基、磺酸基、腈基中的一種或多種取代而生成的物質,這里的烴基是烷烴基、烯烴基、炔烴基或芳香烴基;
上述苯并惡嗪及其衍生物單體的分子量≤1000,熔點≤120℃。
上述技術方案的進一步限定在于,上述成膜樹酯是苯氧樹酯、聚酯多元醇中的一種或幾種的混合物。
上述技術方案的進一步限定在于,上述導電粒子是下列物質中的一種或多種的混合物:Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd金屬導電粒子、石墨非金屬導電粒子、高分子微球復合導電粒子;
上述高分子微球復合導電粒子是在高分子微球的表面鍍覆Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd中的一種或多種導電金屬層而形成的,上述高分子微球是下列微球中的一種或多種的混合物:聚苯乙烯微球、聚丙烯酸酯微球、聚乙烯微球、聚丙烯微球、聚酯微球、改性樹脂微球;
上述導電粒子的粒徑為2-50μm,優選2.5-30μm,更優選2.8-20μm。
上述技術方案的進一步限定在于,上述硅烷偶聯劑為下列通式表征的物質中的一種或多種的混合物:通式為Y(CH2)nX3,n=0~3,X是指甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基或乙酰氧基,Y是乙烯基、氨基、環氧基、甲基丙烯酰氧基、巰基或脲基。
上述技術方案的進一步限定在于,上述改性物質是下列物質中的一種或多種的混合物:環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、異氰酸酯樹脂、橡膠、彈性體、納米粒子;
上述環氧樹脂是下列物質中的一種或多種的混合物:雙酚A環氧樹脂、雙酚S環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、甘油環氧樹脂、氨基四官能環氧樹脂、脂環族環氧樹脂;
上述橡膠是下列物質中的一種或多種的混合物:丁腈橡膠、端羧基丁腈橡膠、端羥基丁腈橡膠、端環氧基丁腈橡膠、聚硫橡膠;
上述彈性體是下列物質中的一種或多種的混合物:聚氨酯樹脂彈性體、聚丙烯酸酯樹脂彈性體;
上述納米粒子是下列物質中的一種或多種的混合物:納米SiO2、納米ZnO2、納米Al2O3、納米TiO2、納米CaCO3、納米陶瓷粉、納米大理石粉、納米橡膠。
上述技術方案的進一步限定在于,一種含苯并惡嗪的異方性導電膜的制備方法,其包括以下步驟:
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