[發明專利]非易失性存儲器

有效

• 申請號: 201410627378.4
• 申請日: 2014-11-10
• 公開（公告）號: CN104778976B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 古惟銘
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種非易失性存儲器，包括：

一存儲器陣列，具有m×n個存儲單元，且該存儲器陣列連接至m條字線、n條源極線與n條位線；

一列解碼器，連接至該m條字線，其中該列解碼器驅動該m條字線其中之一，用以決定一選定列，且該選定列所連接的n個存儲單元都對應地連接至該n條源極線以及該n條位線；

一源極線解碼器，連接至該n條源極線，用以將該n條源極線中的一第x條源極線連接至一源極線電壓，且將該n條源極線中的其他源極線浮接；

一行解碼器，連接至該n條位線，用以將該n條位線中的一第x條位線連接至一數據線，且將該n條位線中的其他位線連接至一參考電壓；以及

一感測電路，包括：一電流源，連接至一第一電壓源用以產生一參考電流；一第一節點，連接至該數據線用以接收一存儲單元電流；一第二節點，連接至該電流源以接收該參考電流；一電流鏡，具有一輸入端連接至該第一節點，具有一鏡射端連接至該第二節點；以及一比較器，具有二輸入端分別連接至該第一節點與該第二節點，并產生一輸出信號用以指示一選定存儲單元的一存儲狀態；

其中，該電流鏡包括：一第一N型晶體管，具有一漏極連接至該第一節點，一源極連接至一第二電壓源；一第二N型晶體管，具有一漏極連接至該第二節點，一源極連接至該第二電壓源，一柵極連接至該第一N型晶體管的一柵極；以及一運算放大器，具有一正端連接至該第一節點，一負端接收一比較電壓，一輸出端連接至該第一N型晶體管的該柵極；

其中，x為一正整數，x大于等于1，x小于等于n，該參考電壓小于該源極線電壓，且該參考電壓大于等于該比較電壓。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中該m×n個存儲單元中的一第一存儲單元包括一浮動柵晶體管，該浮動柵晶體管的一控制柵極連接至該m條字線中的一第一字線，該浮動柵晶體管的一源極連接至該n條源極線中的一第一源極線，以及該浮動柵晶體管的一漏極連接至該n條位線中的一第一位線。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中該m×n個存儲單元中的一第一存儲單元包括：

一P型晶體管，具有一柵極連接至該m條字線中的一第一字線，一源極連接至該n條源極線中的一第一源極線；以及

一浮動柵晶體管，具有一第一端連接至該P型晶體管的一漏極，一第二端連接至該n條位線中的一第一位線。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，該源極線解碼器包括n個開關對應地連接至該n條源極線，且該源極線解碼器根據一源極線控制信號將該n條源極線中的該第x條源極線連接至該源極線電壓，且將該n條源極線中的其他源極線浮接。

5.如權利要求4所述的非易失性存儲器，其中，該源極線解碼器中每一該開關由一開關晶體管所組成，且一第x個開關晶體管為一閉路狀態，以及其他開關晶體管為一開路狀態。

6.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，該行解碼器包括n個開關對應地連接至該n條位線，且該行解碼器根據一行控制信號將該n條位線中的該第x條位線連接至該數據線，且將該n條位線中的其他位線連接至該參考電壓。

7.如權利要求6所述的非易失性存儲器，其中，該行解碼器中每一該開關由一第一開關晶體管與一第二開關晶體管所組成，于一第一切換狀態時該第一開關晶體管為一閉路狀態且該第二開關晶體管為一開路狀態，且于一第二切換狀態時該第一開關晶體管為該開路狀態且該第二開關晶體管為該閉路狀態。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，該電流源包括：一P型晶體管，具有一源極連接至該第一電壓源，一柵極接收一偏壓電壓，一漏極連接至該第二節點。