[發(fā)明專利]一種暖白光OLED器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410625270.1
• 申請日: 2014-11-07
• 公開（公告）號: CN104409645A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葉尚輝;胡天慶;周舟;黃維
• 申請（專利權(quán)）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 南京知識律師事務(wù)所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種暖白光OLED器件，由里到外分別為ITO玻璃基底層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，金屬陰極層；ITO玻璃基底層是以ITO導(dǎo)電玻璃作為器件的襯底和陽極，PEDOT:PSS作為PEDOT:PSS作為空穴注入層和電極修飾層進一步形成空穴傳輸層，TPBI為器件的電子傳輸層，鈣和銀構(gòu)成金屬陰極層，其特征在于發(fā)光層由主體材料DTCPFB和OXD-7，客體材料FIrpic、Ir(bt)₂(acac)、Ir(ppy)₂(acac)、Ir(MPCPPZ)₃構(gòu)成，DTCPFB的分子式如下：

Ir(MPCPPZ)₃的分子結(jié)構(gòu)式如下：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種暖白光OLED器件，其電子傳輸層、發(fā)光層、TPBI、鈣、銀的厚度分別為35納米、55納米、35納米、10納米、100納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種暖白光OLED器件，其暖白光OLED器件的主體材料和客體材料的比例為DTCPFB:OXD-7:FIrpic:Ir(bt)2(acac):Ir(ppy)2(acac):Ir(MPCPPZ)3＝19:11:3:(3％-4％):(0.4％-1.0％):(7％-12％)。

4.如權(quán)利要求1所述的一種暖白光OLED器件的制備方法，包括如下步驟：

步驟一：ITO導(dǎo)電玻璃作為器件的襯底和陽極，在經(jīng)過裁切和刻蝕后，依次經(jīng)過洗滌劑清洗，超純水、丙酮、乙醇三步超聲清洗處理并烘干；

步驟二：將步驟一中烘干的ITO玻璃經(jīng)過紫外臭氧處理15分鐘；

步驟三：在步驟二中處理好的ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS原液作為空穴注入層，并起到潤滑ITO玻璃基底的作用；

步驟四：將步驟三中旋涂好的基片放入鼓風干燥箱中在120℃下退火20分鐘后轉(zhuǎn)移到氮氣手套箱；

步驟五：將預(yù)先配制好的溶解充分的發(fā)光層混合溶液旋涂于步驟4退完火的基片上，之后置于熱臺在120℃下退火20分鐘；

步驟六：將步驟五中的基片接著轉(zhuǎn)移至多源有機小分子真空蒸鍍系統(tǒng)中，抽真空至腔室壓力低于9×10^-5Pa之后，保持在該壓力下接著蒸鍍一層35nm厚的TPBI作為電子傳輸層，停止加熱后在該真空狀態(tài)下待蒸發(fā)源溫度冷卻至60℃以下，向蒸鍍腔室充入手套箱中的氮氣至常壓后將基片從中取出；

步驟七：將步驟六的基片接著放入多源金屬真空蒸鍍系統(tǒng)中，抽真空至腔室壓力低于9×10^-5Pa之后，依次蒸鍍一層10nm厚的鈣和一層100nm的銀作為金屬陰極；

步驟八：鍍膜結(jié)束，保持該真空狀態(tài)下待電極冷卻至室溫，然后向腔室充入手套箱中的氮氣至常壓，取出基片，即得到溶液法制備的多組分摻雜單發(fā)光層暖白光器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種暖白光OLED器件的制備方法，在所述步驟一中，超純水、丙酮、乙醇三步超聲清洗的步驟，其超聲時間依次為10分鐘，20分鐘，20分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種暖白光OLED器件的制備方法，在所述步驟三中，旋涂PEDOT:PSS原液前需先經(jīng)過水性濾頭的過濾，濾頭規(guī)格為0.25μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種暖白光OLED器件的制備方法，在所述步驟三中，PEDOT:PSS原液的旋涂條件參數(shù)為轉(zhuǎn)速1500rps(轉(zhuǎn)/分)，時間設(shè)定50秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種暖白光OLED器件的制備方法，.在所述步驟五中，所配制的溶液濃度為16mg/mL，旋涂條件參數(shù)為轉(zhuǎn)速3000rps，時間設(shè)定30秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種暖白光OLED器件的制備方法，在所述步驟六中，TPBI的蒸鍍速度為在步驟7中，金屬鈣的蒸鍍速度為金屬銀的蒸鍍速度為薄膜的生長速度和膜厚由膜厚儀進行監(jiān)測。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種暖白光OLED器件的制備方法，所述步驟五至八的操作都在真空手套箱中進行，手套箱氣氛控制在含水量<1ppm，含氧量<1ppm。