[發明專利]一種半導體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201410625184.0
• 申請日: 2014-11-07
• 公開（公告）號: CN105633009B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 高娜;陳育浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成多層金屬布線；

依次沉積第一材料層和第二材料層，覆蓋所述多層金屬布線中的最上層的金屬布線；

對所述第一材料層和所述第二材料層的裸露表面實施疏水處理，使所述表面具有疏水性；

依次沉積第三材料層和第四材料層，覆蓋所述第二材料層；

沉積擴散阻擋層，覆蓋所述第四材料層；其中，所述第一材料層和所述第二材料層的材料為摻氟硅玻璃，所述第三材料層的材料為氧化物，所述第四材料層的材料為氮氧化硅。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，實施所述疏水處理的工藝步驟包括：將所述半導體襯底浸入有機溶劑中，所述有機溶劑選用六甲基二硅氧烷；在氮氣氛圍下對經過所述有機溶劑浸泡的半導體襯底進行加熱處理，使殘留的所述有機溶劑充分揮發。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述擴散阻擋層的材料為氮化硅，沉積所述氮化硅的源氣體為二氯硅烷和氨氣。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用高密度等離子體沉積工藝沉積所述第一材料層，采用等離子體增強沉積工藝沉積所述第二材料層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，自下而上層疊的所述第一材料層、所述第二材料層、所述第三材料層和所述第四材料層構成金屬間絕緣層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，沉積所述擴散阻擋層之后，還包括：形成穿透所述金屬間絕緣層和所述擴散阻擋層的電連接所述多層金屬布線中的最上層的金屬布線的金屬互連線；形成電連接所述金屬互連線的頂層金屬布線；沉積鈍化層，覆蓋所述頂層金屬布線和露出的所述擴散阻擋層。

7.一種采用權利要求1-6之一所述的方法制造的半導體器件。

8.一種電子裝置，所述電子裝置包括權利要求7所述的半導體器件。