[發(fā)明專利]LED芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410623717.1 | 申請日： | 2014-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN104409598B | 公開（公告）日： | 2017-12-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王霄;梁智勇;季輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 長沙智嶸專利代理事務(wù)所43211 | 代理人： | 黃子平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | led 芯片 | ||
1.一種LED芯片，包括：
襯底；
n型GaN層，設(shè)置在所述襯底上，遠離所述襯底的n型GaN層的表面包括第一表面和第二表面；
其特征在于，所述LED芯片還包括n型電極，所述n型電極包括：
第一n型電極部，設(shè)置在所述n型GaN層的第二表面上；
第二n型電極部，與所述第一n型電極部連接且向所述n型GaN層內(nèi)部延伸設(shè)置；所述第二n型電極部與所述第一n型電極部的接觸面積為S1，所述第一n型電極部與所述第二表面的接觸面積為S2，所述S1小于所述S2；
所述第二n型電極部為多個且相互隔離；所述第二n型電極部的形狀為倒錐體，所述第二表面上設(shè)有容納所述倒錐體的錐型槽，所述錐型槽的數(shù)量為9個，9個所述錐型槽以3×3隊列排布于n型電極對應(yīng)的n型GaN層(20)中，所述多個錐型槽底面面積相同，橫截面面積相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二n型電極部的形狀為倒圓錐體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第二n型電極部的遠離所述第二表面的一端與所述第二表面的距離為0.1～2.0μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片還包括：
有源層，設(shè)置在所述n型GaN層的遠離所述襯底的第一表面上；
p型GaN層，設(shè)置在所述有源層的遠離所述襯底的表面上；
p型電極，設(shè)置在所述p型GaN層的遠離所述襯底的表面上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于湘能華磊光電股份有限公司，未經(jīng)湘能華磊光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410623717.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
