[發(fā)明專利]一種電源控制芯片的啟動電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410620882.1 | 申請日: | 2014-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN104377950B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 柳林 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市匯川技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/36 | 分類號: | H02M1/36 |
| 代理公司: | 深圳市順天達專利商標代理有限公司44217 | 代理人: | 陸軍 |
| 地址: | 518101 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電源 控制 芯片 啟動 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種電源控制芯片的啟動電路。
背景技術(shù)
UCX84X系列電源控制芯片的啟動電流達到一定值時芯片才能啟動,在寬輸入電壓范圍的開關(guān)電源電路中,根據(jù)公式I=V/R,為達到一定的啟動電流,在啟動電阻一定時,增大輸入電壓,芯片才能啟動;同時,為了使芯片在低壓時也能啟動工作,啟動電阻的值不能設(shè)置得太大。
當開關(guān)電源電路處于故障保護狀態(tài)時,電路將進入打嗝狀態(tài)(即反復(fù)的啟動和關(guān)閉),打嗝間隔時間由電源控制芯片的啟動電路的充電時間決定,由于R和C固定,那么打嗝間隔時間和輸入電壓成反比,輸入電壓越高,打嗝周期(即打嗝間隔時間)越短,過短的周期意味著電路反復(fù)重啟的頻率很高,而現(xiàn)有的開關(guān)電源電路中,均沒有對該打嗝周期進行控制,這樣可能導(dǎo)致電路中的功率器件長時間處于高負荷使用狀態(tài),導(dǎo)致器件的溫升過高而損壞。
同時,根據(jù)公式p=U2/R,當輸入電壓升高時,啟動電阻的損耗變大,對于整個電源電路來說,這部分能量不僅白白的浪費掉,也導(dǎo)致啟動電阻的溫升過高,甚至燒毀。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,針對現(xiàn)有開關(guān)電源電路中電源控制芯片的啟動電阻損耗大且未對打嗝周期進行控制,提供一種電源控制芯片的啟動電路。
本發(fā)明解決上述問題的技術(shù)方案是:提供了一種電源控制芯片的啟動電路,與所述電源控制芯片的VREF引腳連接,其特征在于:該啟動電路包括與直流電源連接的啟動回路和控制回路,其中:所述啟動回路包括一端與所述電源控制芯片的Vcc引腳連接的第一電容,在該啟動回路的輸入電壓大于電壓預(yù)設(shè)值時通過所述第一電容向所述電源控制芯片輸出啟動電壓,所述電壓預(yù)設(shè)值大于該啟動電壓;所述控制回路的兩端分別與所述電源控制芯片的VREF引腳和所述啟動回路連接,并在所述電源控制芯片啟動后關(guān)閉所述啟動回路,并在所述電源控制芯片處于打嗝保護狀態(tài)時控制打嗝周期。
在上述啟動電路中,所述啟動回路包括開關(guān)管和第一穩(wěn)壓二極管,所述控制回路包括光耦,其中:所述開關(guān)管的柵極連接所述第一穩(wěn)壓二極管的陽極,所述光耦的集電極連接所述第一穩(wěn)壓二極管的陰極,所述光耦的負極連接參考地;
在所述直流電源的輸入電壓小于所述啟動電壓時,所述開關(guān)管關(guān)斷,所述啟動回路關(guān)斷;
在所述直流電源的輸入電壓大于所述啟動電壓時,所述第一穩(wěn)壓二極管被擊穿,所述開關(guān)管導(dǎo)通,所述光耦導(dǎo)通,通過所述啟動回路中的充電電容放電,所述開關(guān)管關(guān)斷,所述啟動回路關(guān)斷。
在上述啟動電路中,所述啟動回路還包括第二穩(wěn)壓二極管、第三電容、第一電阻及第二電阻,其中:并聯(lián)的所述第二穩(wěn)壓二極管和所述第三電容分別與所述開關(guān)管的柵極和漏極連接,所述第一電阻的兩端分別與所述開關(guān)管的源極和所述直流電源的正極連接,所述第二電阻的兩端分別與所述第一穩(wěn)壓二極管的陰極和所述直流電源的正極連接。
在上述啟動電路中,所述控制回路還包括第二電容、第三電阻和第四電阻,其中:所述第二電容的兩端分別與所述光耦的正極和負極連接;所述第三電阻的兩端分別與所述光耦的正極和所述電源控制芯片的VREF引腳連接;所述第四電阻的兩端分別與所述光耦的發(fā)射極和所述第一電容的一端連接。
在上述啟動電路中,在所述電源控制芯片處于打嗝保護狀態(tài)時,通過調(diào)整所述啟動回路中的電路參數(shù),可以控制打嗝周期。
在上述啟動電路中,所述第二電阻的阻值與所述第一電阻的阻值的比值大于10。
在上述啟動電路中,所述開關(guān)管為N溝道MOSFET。
在上述啟動電路中,所述光耦為NPN三極管輸出型。
本發(fā)明的有益效果有:可以通過設(shè)置各器件的參數(shù),實現(xiàn)大幅減小啟動電阻損耗和控制打嗝周期的目的,且完全利用無源器件,電路簡單、實用、可靠。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的一種電源控制芯片的啟動電路實施例的示意圖。
圖2是本發(fā)明一種電源控制芯片的啟動電路實施例的電路示意圖。
圖3是圖2中的電源控制芯片工作時VREF引腳和VCC引腳的電壓波形圖。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





