[發明專利]硅基光調制器

有效

• 申請號: 201410620813.0
• 申請日: 2014-11-06
• 公開（公告）號: CN105629522B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 甘甫烷;汪敬;盛振;武愛民;仇超;王曦;鄒世昌
• 申請（專利權）人: 中科院南通光電工程中心;中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種硅基光調制器，其特征在于，所述硅基光調制器至少包括：

脊型波導，所述脊型波導包括平板部和位于所述平板部中間的凸條，所述凸條高于所述平板部；

所述脊型波導中形成有第一輕摻雜區和第二輕摻雜區，所述第一輕摻雜區形成于所述凸條中間，且沿所述凸條的延伸方向延伸；所述第二輕摻雜區形成于所述第一輕摻雜區兩側的凸條中和與所述凸條兩側相連的平板部中；

所述第一輕摻雜區和所述第二輕摻雜區的摻雜類型相反；

所述平板部中還包括第一重摻雜區、第二重摻雜區和第三輕摻雜區；

其中，所述第一重摻雜區分別形成于所述第二輕摻雜區的兩外側，其中一所述第一重摻雜區的外側形成有所述第二重摻雜區；

所述第三輕摻雜區為至少一個并排的長條型區域，每一所述第三輕摻雜區的一端連接所述第一輕摻雜區，另一端連接所述第二重摻雜區；

所述第一重摻雜區與所述第二輕摻雜區的摻雜類型相同；所述第二重摻雜區的摻雜類型、第三輕摻雜區和所述第一輕摻雜區的摻雜類型相同；

所述第一重摻雜區和第二重摻雜區中還形成有通孔，所述通孔中填充有金屬電極，處于第一重摻雜區中的金屬電極連接在一起，處于第二重摻雜區的金屬電極連接在一起。

2.根據權利要求1所述的硅基光調制器，其特征在于：所述第一輕摻雜區的寬度為100nm～250nm。

3.根據權利要求1所述的硅基光調制器，其特征在于：所述第一輕摻雜區和所述第二輕摻雜區以與所述凸條的延伸方向平行的所述凸條的中線成軸對稱。

4.根據權利要求1所述的硅基光調制器，其特征在于：所述脊型波導中，所述平板部的高度為50nm～200nm，所述凸條的高度為220nm～340nm，所述凸條的寬度為300nm～700nm。

5.根據權利要求4所述的硅基光調制器，其特征在于：每兩相鄰的所述第三輕摻雜區之間形成有一金屬電極。

6.根據權利要求4所述的硅基光調制器，其特征在于：所述第一重摻雜區與所述凸條相對的兩邊界的間距為1μm～2μm。

7.根據權利要求4所述的硅基光調制器，其特征在于：與所述第二重摻雜區緊鄰的所述第一重摻雜區的寬度為1μm～10μm，另一所述第一重摻雜區的寬度為1μm～50μm，所述第二重摻雜區的寬度為1μm～50μm。

8.根據權利要求4所述的硅基光調制器，其特征在于：所述第一輕摻雜區的摻雜類型為P型。

9.根據權利要求4或8中任一項所述的硅基光調制器，其特征在于：所述第一輕摻雜區中摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3至5×10¹⁸cm^-3，所述第二輕摻雜區中摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3至5×10¹⁸cm^-3，所述第一重摻雜區中摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3至5×10²⁰cm^-3，所述第二重摻雜區中摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3至5×10²⁰cm^-3。