[發明專利]LED芯片的外延結構及其生長方法

有效

• 申請號: 201410620659.7
• 申請日: 2014-11-06
• 公開（公告）號: CN104393129A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 陳偉;陳立人
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種LED芯片的外延結構，所述外延結構依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN非摻雜層、N型GaN層、量子阱層、P型GaN層、接觸層，其特征在于，所述量子阱層包括勢阱層和GaN勢壘層，所述勢阱層包括In_xGa_(1-x)N層、以及形成于所述In_xGa_(1-x)N層中的Al_xGa_(1-x)N層。

2.根據權利要求1所述的LED芯片的外延結構，其特征在于，所述Al_xGa_(1-x)N層的厚度為0.1-1.0nm。

3.根據權利要求1所述的LED芯片的外延結構，其特征在于，所述Al_xGa_(1-x)N層中，x取值介于0和1之間。

4.根據權利要求1所述的LED芯片的外延結構，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N層中，x取值介于0和1之間。

5.根據權利要求1所述的LED芯片的外延結構，其特征在于，所述P型GaN層包括低溫P型GaN層和高溫P型GaN層。

6.根據權利要求5所述的LED芯片的外延結構，其特征在于，所述量子阱層和低溫P型GaN層之間還形成有InAlGaN/AlGaN超晶格電流阻擋層。

7.一種LED芯片的外延結構的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括如下步驟：

S1.提供襯底；

S2.在襯底上外延生長GaN緩沖層；

S3.在GaN緩沖層上外延生長GaN非摻雜層；

S4.在GaN非摻雜層上外延生長N型GaN層；

S5.在N型GaN層上外延生長量子阱層,所述勢阱層包括生長的In_xGa_(1-x)N層、以及生長于所述In_xGa_(1-x)N層中的Al_xGa_(1-x)N層；

S6.在量子阱層上外延生長P型GaN層；

S7.在P型GaN層上外延生長接觸層。

8.根據權利要求7所述的LED芯片的外延結構的生長方法，其特征在于，所述步驟S5中，形成的Al_xGa_(1-x)N層的厚度為0.1-1.0nm。

9.根據權利要求7所述的LED芯片的外延結構的生長方法，其特征在于，所述步驟S5中，所述Al_xGa_(1-x)N層的x的取值介于0和1之間。

10.根據權利要求7所述的LED芯片的外延結構的生長方法，其特征在于，所述步驟S5中，所述In_xGa_(1-x)N層的x的取值介于0和1之間。