[發明專利]一種鰭式場效應晶體管的制造方法有效
| 申請號： | 201410620001.6 | 申請日： | 2014-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN104332410B | 公開（公告）日： | 2017-12-22 |
| 發明（設計）人： | 鮑宇 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 場效應 晶體管 制造 方法 | ||
1.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成預定義厚度的硬掩膜層；
選擇性蝕刻所述硬掩膜層和所述半導體襯底，以形成鰭部，所述鰭部兩側形成有淺溝槽而上表面仍然覆蓋所述硬掩膜層；
在所述淺溝槽中填充介質層，所述介質層的上表面與所述硬掩膜層上表面平坦一致；
回刻蝕所述硬掩膜層至一定深度，且剩余一定厚度的硬掩膜層，并在所述介質層和暴露出的鰭部表面形成蓋層；
采用回刻蝕工藝完全去除蓋層并部分去除所述介質層，至所述鰭部上表面距離所述介質層上表面的預定高度。
2.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，采用次常壓化學汽相沉積工藝形成所述蓋層。
3.如權利要求2所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，還包括：在形成所述蓋層之后，對所述蓋層進行熱退火處理。
4.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述蓋層與所述介質層的材質相同或不同。
5.如權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述介質層為氧化硅、氮氧化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅構成的堆疊結構，所述蓋層為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
6.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材質為SiN、SiON、α-C、SiO2、BN、TiN、金屬硅化物中的至少一種。
7.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層的回刻蝕深度大于
8.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，回刻蝕硬掩膜層的工藝為濕法刻蝕或遠程等離子刻蝕，回刻蝕介質層的工藝為為濕法刻蝕或遠程等離子刻蝕。
9.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底為純硅、絕緣體上硅、鍺、鍺硅、碳化硅、砷化鎵或者絕緣體上鍺。
10.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述淺溝槽的側壁為豎直結構，所述鰭部為上下一致的豎直結構；或者所述淺溝槽的側壁具有傾斜度，所述回刻蝕工藝后，所述鰭部位于所述介質層上方的部分為垂直結構，而埋在所述介質層中的部分為傾斜結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
