[發(fā)明專利]一種測量自由曲面面型的裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410616937.1 | 申請日： | 2014-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN104315993A | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉儉;譚久彬;王紅婷 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號： | G01B11/24 | 分類號： | G01B11/24 |
| 代理公司： | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 張偉 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 測量 自由 曲面 裝置 方法 | ||
1.一種測量自由曲面面型的裝置，其特征在于，包括：
電致發(fā)光膜照明部分和光學成像測量部分(9)；
所述的電致發(fā)光膜照明部分由待測樣品(1)、鍍在樣品(1)表面的電致發(fā)光薄膜(2)成，所述的電致發(fā)光薄膜(2)上有微電極；
所述的光學成像測量部分(9)沿收集光信號傳播方向依次設(shè)置物鏡(3)、濾光片(4)、管鏡(5)、分光鏡(6)、第一CCD(7)和第二CCD(8)；
所述的第一CCD(7)和第二CCD(8)對稱離焦放置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量自由曲面面型的裝置，其特征在于，所述的電致發(fā)光薄膜由厚度均勻的陰極層、發(fā)光層和透明陽極層組成，總厚度不超過4μm，發(fā)光層厚度不超過1μm，所述的發(fā)光層為有機物層，由電子傳輸層、單色有機發(fā)光層和空穴注入層組成，所述的陰極層、發(fā)光層和透明陽極層均為單個封閉區(qū)域；所述的微電極的正極連接透明陽極層，負極連接陰極層。
3.一種在權(quán)利要求1所述的測量自由曲面面型的裝置上實現(xiàn)的測量自由曲面面型的方法，其特征在于，包括以下步驟：
第一步，在待測樣品(1)表面生成電致發(fā)光薄膜(2)，所述的電致發(fā)光薄膜由厚度均勻的陰極層、發(fā)光層和透明陽極層組成，總厚度不超過4μm，發(fā)光層厚度不超過1μm，所述的發(fā)光層為有機物層，由電子傳輸層、單色有機發(fā)光層和空穴注入層組成，所述的陰極層、發(fā)光層和透明陽極層均為單個封閉區(qū)域；電致發(fā)光薄膜(2)上有微電極，所述的微電極的正極連接透明陽極層，負極連接陰極層；
第二步，給微電極通直流電，使電致發(fā)光薄膜發(fā)光，完成待測樣品(1)表面電致發(fā)光膜的發(fā)光工作；調(diào)節(jié)物鏡(3)與樣品(1)之間的距離，設(shè)置物鏡(3)總運動行程a，物鏡(3)步進距離b，令變量i等于0；
第三步，令物鏡(3)沿軸向運動一個距離b；
第四步，兩個CCD拍攝圖像，獲取二維數(shù)據(jù)Dxym和Dxyn；
第五步，將Dxym和Dxyn做差，獲取二維數(shù)據(jù)Dxyi，并令變量i加1；
第六步，判斷i*b是否大于或等于a，如果是則進入第七步，否則重復第三步到第五步；
第七步，將所有軸向位置測量所得的二維數(shù)據(jù)Dxyi組成三維矩陣，對于每個像素點xy沿z抽取一維數(shù)組，找到該數(shù)組中零點，并記錄該零點所對應的軸向位置；
第八步，所有xy像素所記錄的軸向位置及xy像素對應的位置組合，從而重構(gòu)出樣品(1)表面面型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測量自由曲面面型的方法，其特征在于，還包括第九步，清洗掉待測樣品(1)表面的電致發(fā)光薄膜(2)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于哈爾濱工業(yè)大學，未經(jīng)哈爾濱工業(yè)大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410616937.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
