[發(fā)明專利]晶圓背膠的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410616537.0 | 申請日: | 2014-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN105632945A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張紀(jì)闊;章國偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓背膠 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓背膠的制備方法。
背景技術(shù)
在集成電路后續(xù)封裝過程中,需要進(jìn)行晶圓背面減薄、分片、貼片、引線 鍵合等工藝,在對晶圓進(jìn)行分片之前,需要在晶圓的背面標(biāo)記每個芯片的信息, 目前,通常在晶圓背面形成一層聚合物,并且經(jīng)過加熱處理等工藝之后形成一 層背膠,在背膠上用激光進(jìn)行標(biāo)記。
形成背膠的具體過程為,將晶圓反向放置,使用刮刀等工具將聚合物涂在 晶圓背面形成聚合物薄膜,并且控制聚合物薄膜的厚度在20微米-25微米,之 后將晶圓放在烘烤箱中烘烤約2小時,烤箱的溫度控制在135℃-150℃。經(jīng)過烘 烤之后的聚合物薄膜形成一層硬度較大的薄膜,即為背膠。形成背膠之后,即 可在背膠上進(jìn)行激光標(biāo)記。
但是,由于刮刀在刮制過程中的壓力、速率等,聚合物本身的粘稠度以及 環(huán)境中顆粒等因素的影響,形成的背膠的厚度、平整度等難以控制,需要反復(fù) 調(diào)試。而且,由于聚合物使用時的解凍時間、暴露在空氣中的時間等難以控制, 使得聚合物自身的粘稠度不能確定。晶圓的背膠的平整度的差異,使得后續(xù)的 工藝不穩(wěn)定,導(dǎo)致廢片率較高。因此,需要一種可控性好的形成晶圓背膠的方 法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種可控的晶圓背膠的制備方法,使得制備的晶 圓背膠的平整度、厚度、粘稠度可以提前預(yù)定,提高工藝可靠性。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種晶圓背膠的制備方法,包括:
提供晶圓以及預(yù)制膜;
使用壓膜機(jī)將所述預(yù)制膜壓制在所述晶圓的背面;
對所述預(yù)制膜進(jìn)行加熱處理,形成背膠;以及
在所述背膠上標(biāo)記所述晶圓的信息。
可選的,所述預(yù)制膜的兩面均覆蓋有一防止所述預(yù)制膜被污染的保護(hù)層。
可選的,所述晶圓背膠的制備方法還包括:
在使用壓膜機(jī)將所述預(yù)制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟之前,將所述預(yù) 制膜的一側(cè)的所述保護(hù)層撕下來;
在使用壓膜機(jī)將所述預(yù)制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟中,將所述預(yù)制 膜的一側(cè)面向所述晶圓的背面放置。
可選的,所述晶圓背膠的制備方法還包括:
在使用壓膜機(jī)將所述預(yù)制膜壓制在所述晶圓的背面的步驟之后,將所述預(yù) 制膜的另一側(cè)的所述保護(hù)層撕下來。
可選的,所述預(yù)制膜的厚度和粘稠度根據(jù)要求預(yù)先制定。
可選的,所述預(yù)制膜的為平整度小于等于5%。
可選的,加熱處理所述預(yù)制膜的過程中采用的溫度為130℃-150℃。
可選的,加熱處理所述預(yù)制膜的過程中處理的時間為100min-120min。
可選的,采用激光標(biāo)記的方法在所述背膠上標(biāo)記所述晶圓的信息。
可選的,所述信息包括輸出電壓、輸出功率的信息。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明晶圓背膠的制備方法具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明提供的晶圓背膠的制備方法中,包括:提供晶圓以及預(yù)制膜;使用 壓膜機(jī)將所述預(yù)制膜壓制在所述晶圓的背面;對所述預(yù)制膜進(jìn)行加熱處理,形 成背膠;在所述背膠上標(biāo)記所述晶圓的信息。本發(fā)明的晶圓背膠的制備方法, 采用壓制預(yù)制膜的方法,所述預(yù)制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根據(jù)要求 預(yù)先制定,而且所述預(yù)制膜兩面均覆蓋有一防止所述預(yù)制膜被污染的保護(hù)層, 使得所述預(yù)制膜不會被環(huán)境中的顆粒污染,之后在形成的背膠上標(biāo)記晶圓的信 息。本發(fā)明的晶圓背膠的制備方法,實(shí)現(xiàn)晶圓背膠的可控制備,提高工藝的可 靠性。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中晶圓背膠制備方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中晶圓背膠制備方法壓制預(yù)制膜的示意圖;
圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中在晶圓背膠上標(biāo)記信息之后的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的晶圓背膠的制備方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其 中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的 本發(fā)明,而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本 領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對本發(fā)明的限制。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





