[發明專利]具有雙反射層的倒裝發光二極管芯片在審
| 申請號： | 201410615822.0 | 申請日： | 2014-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN104409601A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 金豫浙;馮亞萍;張溢;李志聰;葉青賢;孫一軍;王國宏 | 申請（專利權）人： | 揚州中科半導體照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 反射層 倒裝 發光二極管 芯片 | ||
1.一種倒裝發光二極管芯片，在一透明生長基板的同一側依次設置N型半導體層、有源層和P型半導體層；在P型半導體層上設置透明氧化物歐姆接觸層，在透明氧化物歐姆接觸層上設置P反射層；在局部裸露的N型半導體層上設置N反射層；所述P反射層和N反射層布置在透明生長基板的同一側；其特征在于：所述P反射層由P反射金屬層、第一阻擋金屬層和第一Ti接觸金屬層組成，所述P反射金屬層設置在透明氧化物歐姆接觸層上，第一阻擋金屬層設置在P反射金屬層上，第一Ti接觸金屬層設置在第一阻擋金屬層上；所述N反射層由N反射金屬層、第二阻擋金屬層和第二Ti接觸金屬層組成，所述N反射金屬層設置在N型半導體層上，第二阻擋金屬層設置在N反射金屬層上，第二Ti接觸金屬層設置在第二阻擋金屬層上。
2.根據權利要求1所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于：所述P反射金屬層的厚度為1000～3000A，所述P反射金屬層為可見光反射率大于80%，所述P反射金屬層的材料為Ag、Al、Ni?Ag或Ni?Al中的任意一種。
3.根據權利要求1所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于：所述第一阻擋金屬層的厚度為10～5000A，所述第一阻擋金屬層為Ni、Au、Cr、Pt中的至少任意一種。
4.根據權利要求1所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于：所述N反射金屬層的厚度為1000～3000A，N反射金屬層為可見光反射率大于70%的CrAl組合結構層。
5.根據權利要求1所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于：所述第二阻擋金屬層的厚度為10～5000A，所述第二阻擋金屬層為Ni、Au、Cr、Pt中的至少任意一種。
6.根據權利要求1所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于：所述第一Ti接觸金屬層的厚度為10～500?A。
7.根據權利要求1所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于：第二Ti接觸金屬層厚度為10～500?A。
8.根據權利要求1所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于：所述透明氧化物歐姆接觸層的厚度為5～1000A。
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