[發明專利]一種取向可控薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201410614987.6 | 申請日： | 2014-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN104480426A | 公開（公告）日： | 2015-04-01 |
| 發明（設計）人： | 陳清明;李兵兵;張斌;張輝 | 申請（專利權）人： | 昆明理工大學 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/28;H01B12/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 取向 可控 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種取向可控薄膜的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
（1）將單相均一的Nd1.85Ce0.15CuO4-δ靶材固定好后用激光轟靶表面以清洗靶材表面；
（2）在真空度為10?X?10-3~3.0?X?10-3Pa的條件下將清洗好的LaAlO3單晶襯底用單晶硅加熱器或電阻絲加熱器加熱到900～950℃，加熱過程中繼續抽真空，升溫后真空度達到3.0?X?10-3~2.0?X10-4Pa；
（3）然后通入氧氣，用激光照射在靶上，將靶材表層原子熔蒸出來在襯底上生長成膜；
（4）對步驟（3）中的薄膜在800~820℃，600~650℃和450~500℃下各退火10~15?min，得到Nd1.85Ce0.15CuO4-δ薄膜，其中退火過程中壓強為1?X?10-3~1?X?10-4?Pa。
2.根據權利要求1所述取向可控薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（1）所述激光的能量300～600mJ，轟擊時間5～20min。
3.根據權利要求1所述取向可控薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（3）所述靶材與襯底之間的距離為3cm～6cm。
4.根據權利要求1所述取向可控薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（3）所述氧壓為1～6?Pa，氧氣形式為流動氧。
5.根據權利要求1所述取向可控薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（3）所述激光能量為460～600?mJ，沉積時間為3～30min。
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