[發(fā)明專利]一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410614384.6
• 申請(qǐng)日: 2014-11-04
• 公開（公告）號(hào): CN104357810A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳愛民;林國強(qiáng);陸文琪;鄒瑞洵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連理工常州研究院有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/517
• 分類號(hào): C23C16/517
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，包括真空腔室(10)，其特征在于，所述真空腔室上固定安裝有同軸微波等離子體源，所述同軸微波等離子體源包括微波發(fā)生器(1)、波導(dǎo)(2)、同軸線變換器(3)、石英管(4)和內(nèi)電極(7)，其中，石英管(4)位于真空腔室(10)內(nèi)部且固定安裝于真空腔室兩側(cè)壁上，同軸線變換器(3)通過真空腔室外側(cè)壁同軸對(duì)稱固定安裝于石英管(4)兩端，同時(shí)同軸線變換器(3)通過波導(dǎo)(2)與微波發(fā)生器(1)相連，內(nèi)電極(7)穿過石英管并固定在同軸線變換器上，內(nèi)電極(7)、同軸線變換器(3)、石英管(4)三者同軸，真空腔室頂部設(shè)置有進(jìn)氣管(6)；

真空腔室底部、頂部或側(cè)部的至少一個(gè)位置上活動(dòng)安裝有支撐臺(tái)(11)，支撐臺(tái)下端伸出真空腔室壁連接位置調(diào)節(jié)裝置(16)，位置調(diào)節(jié)裝置與位置控制裝置(17)相連，支撐臺(tái)上可拆卸的安裝有試樣臺(tái)(18)，支撐臺(tái)與試樣臺(tái)(18)之間設(shè)置有絕緣層(13)；

真空腔室側(cè)壁上固定安裝有診斷測試裝置(24)，等離子體探針(14)一端連接于診斷測試裝置上，其另一端伸入真空腔室內(nèi)部，真空腔室側(cè)壁上還連接有真空管道(19)，真空裝置(22)連接于真空管道之上，真空管道上安裝有閥門控制裝置(20)和氣壓測試儀(21)；

反饋控制系統(tǒng)(25)分別與微波發(fā)生器(1)、診斷測試裝置(24)、閥門控制裝置(20)和氣壓測試儀(21)連接；

所述真空腔室(10)和內(nèi)電極(7)上設(shè)置有冷卻水管道，且真空腔室壁上安裝有腔室冷卻水入口(23)和腔室冷卻水出口(26)，內(nèi)電極(7)壁上安裝有內(nèi)電極冷卻水入口(8)和內(nèi)電極冷卻水出口(27)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述微波發(fā)生器的微波觸發(fā)模式為外部觸發(fā)，微波輸出模式為連續(xù)模式或脈沖模式，連續(xù)模式最大輸出功率為2000W，脈沖模式的峰值功率為4000W。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述內(nèi)電極為導(dǎo)電金屬管，其材料為銅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述腔室冷卻水出口(26)的水平位置高于腔室冷卻水入口(23)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述真空腔室(10)壁上還安裝有反應(yīng)氣體進(jìn)氣管(9)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述真空腔室上固定安裝的同軸微波等離子體源是一組或者至少兩組水平平行等間距布置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述支撐臺(tái)上設(shè)置有加熱器(12)，加熱器與溫度控制器(15)相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述試樣臺(tái)(18)還與偏壓電源(28)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種同軸微波等離子體沉積薄膜的設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)氣管下端安裝有至少一根導(dǎo)氣管(5)，導(dǎo)氣管水平固定且每根導(dǎo)氣管開設(shè)至少一個(gè)通氣狹縫，或者至少2個(gè)等間距的通氣孔，以形成氣簾式通氣。