[發明專利]LED晶粒與封裝結構

有效

• 申請號: 201410612715.2
• 申請日: 2014-11-04
• 公開（公告）號: CN104332554B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 洪寬;王偉;宋姚;胡永久
• 申請（專利權）人: 浙江中博光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/20;H01L33/54;H01L25/075
• 代理公司: 浙江英普律師事務所33238
• 代理人: 陳俊志

1.LED晶粒，其特征在于：包括發光層(1)、N型半導體層(2)、活性層(3)、P型半導體層(4)、襯底(5)、緩沖層(6)、熱沉(7)、正電極(8)以及負電極(9)；

所述發光層(1)下方設有N型半導體層(2)，N型半導體層(2)下方設有活性層(3)，活性層(3)下方設有P型半導體層(4)，所述P型半導體層(4)下方設有襯底(5)，所述襯底(5)下方設有熱沉(7)；

所述N型半導體層(2)、活性層(3)、P型半導體層(4)以及襯底(5)均為環狀體且四者內部柱狀孔的直徑相同，所述熱沉(7)為上臺階(71)與下臺階(72)組成的梯臺柱狀一體結構，所述緩沖層(6)設置在上臺階(71)的上端，所述上臺階(71)套在N型半導體層(2)、活性層(3)以及P型半導體層(4)的內部柱狀孔內部；

正電極(8)延伸設置在所述P型半導體層(4)與熱沉(7)下臺階(72)的一側，所述正電極(8)與所述P型半導體層(4)的端部直接接觸連接，所述正電極(8)與所述襯底(5)的端部之間設置有第一絕緣層(10)；所述負電極(9)延伸設置在N型半導體層(2)與熱沉(7)下臺階(72)的一側，所述負電極(9)與所述N型半導體層(2)的端部直接接觸連接，所述負電極(9)與所述襯底(5)的端部之間設置有第二絕緣層(11)。

2.根據權利要求1所述的LED晶粒，其特征在于：所述緩沖層(6)為散熱材料緩沖層，所述緩沖層(6)內設有密集的孔洞(61)。

3.根據權利要求2所述的LED晶粒，其特征在于：所述緩沖層(6)采用陶瓷緩沖層，所述孔洞(61)設置在緩沖層(6)豎直方向上，所述孔洞(61)的直徑為0.5mm-1mm。

4.根據權利要求1所述的LED晶粒，其特征在于：所述N型半導體層(2)、活性層(3)、P型半導體層(4)以及襯底(5)之間的自上而下的柱狀孔與熱沉(7)的上臺階(71)形成夾角，所述夾角不超過10度。

5.基于權利要求1所述的LED晶粒的封裝結構，其特征在于：包括若干個所述LED晶粒矩陣式排列設置在銅底座(12)上，所述銅底座(12)預先設置好安裝LED晶粒的內凹安裝部，內凹安裝部內設置為絕緣內壁，內凹安裝部底端印刷有電極引出電路，所述電極引出電路的正電極連接LED晶粒的負電極(9)，所述電極引出電路的負電極連接LED晶粒的正電極(8)，所述銅底座(12)的內凹安裝部下方印刷有電極引出電路，并且與內凹安裝部底端印刷有電極引出電路相互串聯。

6.根據權利要求5所述的封裝結構，其特征在于：在所述銅底座(12)上方設有第一密封體(13)，所述第一密封體(13)向下延伸至銅底座(12)周端，所述銅底座(12)下方設有第二密封體(14)，第二密封體(14)延伸至銅底座(1)的第一密封體(13)處的外端。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于：所述第一密封體(13)上端結構為半球狀結構，所述第一密封體(13)為環氧樹脂密封體。

8.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于：所述第二密封體(14)為絕緣材料密封裝置。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于：所述第二密封體(14)設有出線孔(141)，出線孔(141)內設有軟導線(142)，軟導線(142)連接銅底座(12)下方印有的電極引出電路。