[發明專利]小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜方法及專用鍍膜設備在審
| 申請號: | 201410612086.3 | 申請日: | 2014-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN104480440A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發明(設計)人: | 彭眾杰;楊昆昆;賈道寧 | 申請(專利權)人: | 煙臺首鋼磁性材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/32;C23C14/16 |
| 代理公司: | 煙臺雙聯專利事務所(普通合伙) 37225 | 代理人: | 矯智蘭 |
| 地址: | 265500 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 尺寸 釹鐵硼 磁體 表面 真空鍍膜 方法 專用 鍍膜 設備 | ||
技術領域:
本發明主要涉及釹鐵硼磁體表面防腐技術領域,具體地講是小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜方法及專用鍍膜設備。
背景技術:
釹鐵硼磁體由于富釹相和Nd2Fe14B相之間電位差的存在,以及釹鐵硼磁體的吸氫作用使得其極易發生腐蝕,一般采用在釹鐵硼磁體表面制備防腐膜層的方式對其進行防腐,常見的釹鐵硼磁體表面防腐膜層的制備方式有電泳、噴涂、真空鍍膜和電鍍。
目前對于小尺寸釹鐵硼磁體,由于難以采用普通夾具快速固定磁體試樣的原因,一般均采用滾動電鍍或滾動噴涂的方式在其表面生成一層防腐膜層,但電鍍中酸、堿的存在會對磁體產生損傷,噴涂過程會對人體和環境造成一定的損害。
目前,在一些顆粒狀的金屬和非金屬零件上,有利用斜臥式磁控多弧離子鍍膜機內安裝滾筒的方式進行的鍍膜的實例,但爐體結構復雜,對試樣形狀要求較嚴且在釹鐵硼真空鍍膜領域并未應用。
發明內容:
本發明的目的是克服上述已有技術的不足,而提供一種小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜方法。
本發明的另一目的提供一種小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜的專用鍍膜設備。
本發明主要解決現有的小尺寸釹鐵硼磁體表面難以進行真空鍍膜的問題。
本發明的技術方案是:小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜方法,其特殊之處在于,包括如下工藝步驟:將脫脂酸洗后的小尺寸釹鐵硼磁體試樣與鋼珠一起放入專用鍍膜設備的滾筒中,關閉爐門抽真空至6-9×10-3pa后,開啟滾筒轉動使鋼珠與磁體混合均勻,滾筒轉速為5-20r/min,繼續抽真空至3-6×10-3pa后,打開氬氣至真空度為3-6×10-1pa后,打開靶源,開始鍍膜。
進一步的,所述的小尺寸釹鐵硼磁體試樣的尺寸范圍為厚度、長度和寬度方向均小于15mm,且三個方向的尺寸差異小于10mm。
進一步的,所述的鋼珠大小為Φ2mm-Φ6mm,鋼珠的重量為小尺寸釹鐵硼磁體試樣重量的0.25-1.5倍。
進一步的,所述的鍍膜方式為多弧離子鍍或磁控濺射。
本發明的專用鍍膜設備,主體結構為臥式,它包括圓筒形爐壁,圓筒形爐壁一端設后爐壁,形成爐體,爐體下設底架,其特殊之處在于,在圓筒形爐壁上設氬氣進氣口和真空系統抽氣口,圓筒形爐壁的另一端設爐門,爐門上設觀察窗;在后爐壁上的轉軸上固定滾筒,滾筒為網狀,一端密閉,滾筒由后爐壁上的轉軸帶動旋轉,滾筒內壁上設攪拌片,在圓筒形爐壁上設左靶源和右靶源,二者相對應,靶面正對滾筒。
進一步的,所述的攪拌片為等腰三角形或梯形。
本發明所述的小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜方法及專用鍍膜設備與現有技術對比具有突出的實質性特點和顯著進步,1、本發明采用將釹鐵硼磁體與鋼珠混合的方式表面真空鍍膜與現有的釹鐵硼磁體的電鍍和噴涂鍍膜相比,對釹鐵硼基體損傷小,對人體和環境危害小;2、專用鍍膜裝置與其它真空滾鍍設備相比,結構簡單,對樣件的形狀要求低,鍍膜效率高。
附圖說明:
圖1是本發明的專用鍍膜設備的正視結構示意圖;
圖2是圖1的側視圖;
圖3是本發明的實施例1中所鍍試樣外觀圖;
圖4是本發明的實施例1中所鍍試樣膜層厚度圖。
圖面說明:
1真空系統抽氣口、2轉軸、3滾筒、4攪拌片、5左靶源、6右靶源、7觀察窗、8氬氣進氣口、9圓筒形爐壁、10后爐壁、11爐門、12底架。
具體實施方式:
為了更好的理解此發明,下面結合實施案例來解釋說明此發明,所舉實施例僅用于解釋本發明,并非用于限制本發明的范圍。
實施例1,參見圖1、2,根據設計需要,加工制成圓筒形爐壁9和后爐壁10,圓筒形爐壁9上有氬氣進氣口8和真空系統抽氣口1,在圓筒形爐壁9一端固定后爐壁10,形成爐體,在圓筒形爐壁9的另一端安裝爐門11,爐門11上安裝觀察窗7;在后爐壁10上的轉軸2上固定滾筒3,滾筒3為網狀不銹鋼滾筒,一端密閉,滾筒3由后爐壁10上的轉軸2帶動旋轉,在滾筒3內壁上安裝攪拌片4,攪拌片4為等腰三角形或梯形,滾筒3靠近爐門11一端有可開關的圓形開口,釹鐵硼磁體樣件和鋼珠可由此圓形開口處倒入或取出;在圓筒形爐壁9的左側和右側各安裝兩個左靶源5和兩個右靶源6,左靶源5與右靶源6相對應,靶面正對滾筒3;在爐體下安裝底架12,爐體結構為臥式;形成本發明的專用鍍膜設備。
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